중국 칭화유니그룹 산하 궈신마이크로(GUOXIN MICRO)가 선전증권거래소 투자자 교류 플랫폼을 통해 “최근 중국산 DDR4 메모리 반도체 연구개발이 순조롭게 진행되고 있다”며 “궈신마이크로가 올해 연말 DDR4 메모리를 시장에 내놓을 것”이라고 밝혔다.

앞서 수 개월전 궈신마이크로의 두린후(杜林虎) 부총재는 “향후 궈신마이크로가 D램 메모리 반도체 양산 투입을 확대할 수 있다”며 “DDR3 메모리 반도체가 주류이지만 DDR4 메모리가 연내 설계를 완료하고 생산에 나설 것”이라고 언급했다. 두 부총재는 D램 메모리와 관련 모듈 상품이 이미 완성돼 시리즈화했다고 부연했다.

▲궈신마이크로 이미지. /궈신마이크로 제공

궈신마이크로의 DDR4 메모리는 DIMM(U-DIMM)과 SO-DIMM 개발을 채용했다. U형 DIMM 모델은 ‘SCQ04GU03AF1C-21P’, ‘SCQ04GE03AF1C-21P’이며 SO-DIMM의 2개 모델은 ‘SCQ04GS03AF1C-21P’, ‘SCQ08GS13AF1C-21P’다.

궈신마이크로는 칭화유니그룹 산하의 반도체 상장사로서 반도체 설계 개발 업무에 주력하는 회사다. 보안 칩, 고신뢰성 특수 반도체, 메모리 반도체, FPGA, 전력 반도체 등 다양한 제품을 개발한다.

회사는 보안 칩이 사물인터넷과 인공지능(AI) 등 방면에서 더 많은 발전 기회가 있을 것으로 보고 있으며 새로 개발하는 mPOS CPU 보안 반도체 역시 스마트 기기 사업의 새로운 성장 동력이 될 것이라고 부연했다.