중국이 직접 개발한 32단 3D 낸드 플래시 메모리 반도체가 올 연말 모습을 드러낼 것으로 보인다. 

칭화유니그룹이 주도해 중국 우한의 광구에 지어지고 있는 ‘국가메모리반도체생산기지’가 지난 11일 정식으로 장비를 반입했다. 중국의 메모리 반도체가 양산 채비를 서두르고 있다는 의미다. 이 공장에서는 중국 지식재산권(IP)으로 만들어진 첫 32단 3D 낸드 플래시 반도체가 연내 양산에 돌입할 예정이다. 중국의 메모리 반도체 공백을 상당부분 메워줄 것으로 기대되고 있다. 

▲칭화유니그룹이 주도한‘국가메모리반도체생산기지’가 지난 11일 장비를 반입했다. /바이두 제공

중국에서 메모리 반도체는 사실상 대부분 수입된다. 이에 지난해 중국 국가메모리기지가 지어지면서 첫 32단 3D 낸드 플래시 반도체를 개발했다. 10억 달러를 투입해 1000명의 연구진이 2년 간 연구개발한 결과물이다. 글로벌 선두의 제조 공정 수준에 이르렀다는 평가를 받는다. 

이 기지는 지난 2016년 칭화유니그룹이 국가반도체산업투자펀드, 후베이반도체산업투자펀드, 후베이과학투자공동투자건설과 함께 총 240억 달러를 투자해 조성한 생산 공장이다. 월 30만 장을 생산해내면서 연간 100억 달러 이상을 생산해내는 것이 목표다. 

칭화유니그룹의 고위 관계자는 “올해 10월 시생산에 돌입하고 내년 말 64단 플래시 메모리 반도체 양산에 돌입할 것”이라고 말했다. 향후 10년간 칭화유니그룹은 최소 1000억 달러(약 106조9000억 원)를 투자할 계획이다. 매년 100억 달러씩 투자해 세계 선두와 격차를 줄인다는 각오다.