▲삼성전자가 TSV 기술을 적용한 128GB D램 모듈을 양산했다. / 삼성전자 제공

[KINEWS(www.kinews.net) 2015. 11. 26] 삼성전자가 3차원 반도체 기술로 메모리 시장에서 후발 업체들과 격차를 점차 벌리고 있다. 

최근 3D 낸드 플래시 양산 기술을 48층까지 진전시킨 데 이어 D램도 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 이용해 128GB 서버용(RDIMM) 모듈 생산에 돌입했다.  

TSV(Through Silicon Via)은 D램 칩을 일반 종이 두께의  절반 이하로 얇게 깎은 다음 수백개의 미세한 구멍(Via)을 뚫고 상하단 신호를 연결한 패키징 기술이다. 종전 D램 모듈보다 속도가 빠르고 전기 소모량도 획기적으로 줄어든다. 다만 양산 중 제품 불량 가능성이 높아 높은 수준의 공정 기술이 요구된다.   

삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 64GB DDR4 D램 모듈 양산했고, 128GB TSV D램 모듈 양산에도 성공함에 따라 후발 업체들과 상당한 기술 격차를 벌린 것으로 보인다. 

이번 신제품에는 20나노미터 공정을 적용한 8Gb DDR4 D램 144개가 장착됐다. TSV 적층으로 4개씩 쌓은 소형 모듈이 36개 들어갔다. 

기존 와이어(금선) 본딩 기반 64GB D램 모듈에 비해 작동 속도가 2배 빠른 2400Mbps(최대 3200Mbps)에 이른다. 소비전력은 절반 이하 수준에 불과하다. 

삼성전자는 TSV 기술을 적용해 대용량 구현에 최적화된 128GB DDR4 LRDIMM(Load Reduced Dual In-line Memory Module)도 연내 양산할 계획이다. 고용량 D램 수요 증가에 맞춰 20나노 8Gb 생산 비중도 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 배가한다는 목표다. 

최주선 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "128GB D램 모듈 양산으로 주요 고객사들이 차세대 서버 시스템을 적기에 출시할 수 있게 됐다"며 "시장을 선도하는 고객들과 기술 협력을 확대하고 사용자 편의성을 높이는데 기여할 것"이라고 말했다.