삼성전자가 회로 선폭이 8나노미터(nm)·6nm 시스템LSI 공정을 추가 개발해 TSMC와 속도전을 펼칠 전망이다. 극자외선(EUV) 장비가 완전히 준비되지 않더라도 8nm 공정을 제공, 고객사 유치에 나선다는 계획이다.

이 회사는 지난해 10월 10nm 1단계 '저전력얼리(LPE)' 공정에서 생산을 시작, 4개월간 웨이퍼 약 7만장 규모의 반도체를 생산했다. 올해 하반기 2단계 '저전력퍼포먼스(LPP)' 양산을 시작하고, 내년에는 3단계 '저전력얼티메이트(LPU)' 공정 구축을 완료한다. 이후 같은 공정을 튜닝해 8nm를 구현한다.삼성전자는 8nm·6nm 공정을 자사 시스템LSI 로드맵에 추가한다고 16일 밝혔다. 현재 양산 중인 10nm 공정에서 쓰이는 불화아르곤(ArF) 액침(이머전) 장비를 그대로 이용해 추가 투자 없이 더욱 고성능·저전력 반도체 생산을 원하는 고객사에 제공한다는 전략이다.

10nm 에서 7nm로 곧바로 이동할 것으로 예상됐던 공정 중간에 8nm를 끼워 넣는 이유는 TSMC가 7nm 양산을 최대한 앞당기고 있기 때문이다. TSMC는 1분기부터 7nm 테스트 양산을 시작했다. 2분기에는 미디어텍 애플리케이션프로세서(AP) 등 시제품이 생산된다. 내년 초 본 양산을 할 계획인데, 최대한 앞당긴다는 목표다.

삼성전자는 당초 10nm 공정을 당분간 유지하면서 7nm로 옮긴다는 계획이었는데, 경쟁 업체가 미세화를 서두르면서 다양한 대응 방안을 모색하는 것으로 보인다.

삼성전자 관계자는 "8nm는 10nm와는 다른 패턴 기술이 적용될 것"이라며 "5월에 정확한 스펙이 공개된다"고 말했다. 이와 더불어 EUV 장비를 활용한 7nm 공정을 개선한 6나노 로드맵도 발표할 계획이다.