D램과 낸드플래시 메모리 수급의 열쇠를 쥐고 있는 삼성이 올해 메모리 투자와 관련, 보수적인 기조를 나타냈다. 가격 강세가 이어지는 상황에서 수익성을 극대화 한다는 전략이다.

삼성전자(대표 권오현) 전세원 메모리마케팅팀 전무는 24일 컨퍼런스콜에서 "평택캠퍼스는 현재로서는 D램 증설은 고려하지 않고 있다"면서 "D램은 (화성) 17라인 보완 투자는 캐파(생산능력) 증가가 아닌 자연 캐파 감소분을 보완하는 수준"이라고 말했다. 그는 "시장상황을 놓고 봤을 때 현재로도 커버할 수 있다고 생각한다"며 "D램 투자에는 많은 비용이 소요된다"고 일시적인 증산 계획도 없다고 말했다. 

낸드플래시 역시 "연간 낸드플래시 수급은 타이트할 것"으로 예상했다. 비트그로스(Bit Growth, 비트 기준 메모리 용량 증가율)를 30% 초반대로 예상하지만 실제 투자 여부는 당시 시장에 따라 달라질 전망이다. "올해 중순쯤 평택 캠퍼스에서 낸드 증산이 이뤄진다"면서도 구체적인 투자 계획에 대해서는 밝히지 않았다. 시장 상황을 고려해 투자 규모를 조절하겠다는 뜻이다.

D램 수요는 데이터센터 서버, 고용량 모바일 등에 힘입어 증가할 것으로 전망했다. LG, 에이수스 등이 플래그십 스마트폰에 8GB 램을 채택하면서 용량이 증가했고, 딥러닝, 인공지능(AI) 기술 개발에 가속도가 붙으면서 데이터센터가 요구하는 메모리 용량도 폭증하고 있다.

낸드플래시는 데이터센터, 기업용 솔리드스테이트드라이브(SDD)는 물론 휴대용 저장장치 주류가 64GB 이상, 고성능 제품은 128GB로 이동하면서 수요 증가세가 이어질 것으로 예상했다. 

지난 연말 기준 삼성전자는 D램과 낸드플래시 점유율이 각각 50%·40%를 넘었다. 중국이 본격적으로 메모리 양산을 시작하는 내년 까지는 삼성의 메모리 생산량에 따라 수급이 조절되는 시장이 조성됐다. 수요 증가에도 불구하고 적극적인 투자 계획을 세우지 않는 이유다. 

D램은 18나노 생산으로 이미 가격 경쟁력을 확보한 상황이고, 3D낸드는 경쟁업체들이 여전히 수율 안정화를 하는데 애를 먹고 있다.