자기저항 메모리(MRAM)가 상용화되기 시작하면서 이를 지원하는 반도체 생태계가 조성되고 있다.   

퀄컴과 삼성전자는 지난해부터 애플리케이션프로세서(AP) 등에 스핀 주입 자화 반전 메모리(STT-MRAM)을 적용했다. 

▲에버스핀의 MRAM./에버스핀

MRAM은 비휘발성 메모리 중 하나로, 자기저항을 활용해 정보를 저장한다. 자료 처리 속도가 빠르고 고집적·저전력 특성으로 주목받고 있다. 

EE타임즈에 따르면 최근 TSMC, 삼성전자, 글로벌파운드리(GF) 등 주요 반도체 외주생산(파운드리) 업체들은 임베디드 MRAM 공정 서비스를 잇따라 시작했다. 

MRAM 전문 설계자산(IP) 업체도 등장하고 있다. 

지난 2014년 설립된 이바더리스(eVaderis)는 MRAM 및 저항메모리(ReRAM) 등 내장형 차세대 메모리에 관한 IP솔루션을 제공한다. 

설립 초에는 40나노급 임베디드 플래시 공정용 IP사업도 했으나, 최근 주요 파운드리 업체가 28나노 이하의 임베디드 플래시 매모리에 탑재될 메모리로 MRAM을 채택하면서 이 사업에 주력하기로 했다.

이바더리스는 GF의 22나노(㎚) FD-SOI(FDX) 공정을 활용한 마이크로제어유닛(MCU) 레퍼런스 디자인을 설계, 협력하기로 했다. 

고객사가 컴파일러(Compiler)에 직접 접근, 로직(logic) 레벨에서 기능을 조정할 수 있게 했다.

이바더리스에 따르면 MRAM이 탑재된 MCU는 일반 플래시메모리(NOR 및 SRAM)을 내장한 MCU를 썼을 때보다 배터리 수명이 10배 길고, 칩 크기도 작다. 

짐 핸디(Jim Handy) 오브젝티브 아날리시스(Objective Analysis) 수석 분석가는 “MRAM은 기존 NOR 플래시메모리나 SRAM보다 효율적으로 데이터를 저장한다”며 “기존 메모리보다 전력 소모량이 적기 때문에 14나노 이후 노드에서는 MRAM의 시장 가능성이 더 높다”고 설명했다.