[The Korea Industry Post(kipost.net)] 삼성전자가 D램을 생산 중인 경기도 화성 11라인을 시스템LSI 공정용으로 전환하는 방안을 검토하고 있다. CMOS이미지센서(CIS) 시장에서 2위 입지를 탄탄하게 다지는 한편 수익성이 높은 파운드리 사업을 강화하는 측면으로 볼 수 있다.

구 공정을 비워 메모리 사업 수익성을 높이는 한편 반도체 외주생산(파운드리) 공장(팹)으로 활용하면서 추가 매출을 기대할 수 있어 두마리 토끼를 잡을 수 있다.

31일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 올해 3분기부터 11라인에서 상보성금속산화물(CMOS)이미지센서(CIS)를 생산할 예정이다. 회로 선폭은 32nm고, 우선 웨이퍼 기준 약 3만장을 생산한다는 계획이다. 

상반기에는 공정 전환을 위한 보완 투자가 이뤄지고, 3분기 장비 세팅이 완료되는대로 가동한다.

기흥·화성 단지, 국내 시스템반도체 클러스터로 성장

삼성전자는 그동안 구 공정 메모리 라인을 꾸준히 시스템LSI 전용 팹으로 전환해왔다. 기흥 5(LED 공정으로 재전환) 라인에 이어 6·7·8·9·14라인은 이미 시스템반도체로 전환을 마쳤다. 

기흥에 비해 나중에 조성된 화성은 3D낸드플래시와 시스템반도체 하이브리드로 사용하는 17라인 외에는 메모리반도체를 주력으로 해왔다. 11라인을 시작으로 이전 공정을 시스템반도체로 순차 전환한다고 봤을 때 장기적으로 기흥·화성 단지는 시스템반도체 클러스터로, 평택은 메모리와 최신 시스템LSI 공정용으로 조성된다. 

공정 전환 투자, 메탈 증착·TSV에 집중

CIS는 메모리와 동일한 CMOS(p형 반도체와 n형 반도체 혼합 공정) 공정을 기반으로 하기 때문에 겹치는 장비가 많다. 상당수 설비와 장비가 재활용 된다.  

D램 공정에서 사용하던 노광(리소그래피), 화학기상증착(CVD), 식각(에칭), 테스트 장비 일부는 그대로 활용할 수 있다. 

신규 장비는 CIS의  소요량이 많은 메탈층 증착과 에칭을 위한 장비가 추가 된다. 화학적기계연마(CMP), 실리콘관통전극(TSV)용 에칭 장비 등도 필요하다. 이미지를 받아들이는 컬러필터와 렌즈 공정도 새로 도입된다. 

업계 관계자는 "공정 전환이 확정단계에 있다"고 전했다.