삼성전자(권오현·윤부근·신종균)는 퀄컴이 자사 7나노(㎚) LPP(Low Power Plus) 제조 공정을 활용, 5G 칩을 생산하기로 했다고 22일 밝혔다. 

 삼성전자는 7나노 공정부터 차세대 극자외선(EUV) 노광 기술을 도입한다. EUV 노광은 반도체 웨이퍼에 파장이 짧은 극자외선을 쪼여 회로 패턴을 그린다. 이전 액침(immersion) 불화아르곤(ArF) 기술을 활용했을 때보다 패턴을 미세하게 그릴 수 있다.

7나노 EUV 공정에서 제품을 생산하면 이전 10나노 공정 대비 칩 면적은 40% 줄일 수 있고, 성능은 10% 향상된다고 삼성전자는 설명했다. 전력 효율도 동일 성능 기준 35% 높다. 삼성전자는 EUV 기술을 적극 도입, 초미세 공정의 한계를 극복한다는 전략이다. 
 

퀄컴은 삼성전자 10나노, 14나노 공정을 활용하던 주 고객사였지만 올해 내놓을 애플리케이션프로세서(AP) ‘스냅드래곤855’ 등 주력 제품 생산은 TSMC에 맡긴 바 있다. TSMC가 기존 액침 ArF 노광 기술에 더블패터닝(DPT) 및 쿼드러플패터닝(QPT)을 활용, 7나노급 양산을 재빨리 시작했기 때문이다.

아직 생산할 제품이 정해지지 않았다. 퀄컴의 5G 칩 관련 제품군으로는 모뎀, 무선(RF) 프론트엔드(RFFE) 등이 있다. 퀄컴은 내년 5G 스마트폰 출시를 목표로 각국 통신사 및 모바일 기기 제조사들과 상호운용성 시험을 진행 중이다.