반도체 웨이퍼 및 패널 처리 솔루션 전문기업인 ACM 리서치는 'Ultra C wb' 세정 장비에 대한 주요 업그레이드를 5일 발표했다. 

향상된 Ultra C wb는 ACM이 특허 출원중인 질소 버블링 기법을 통해 습식 식각의 균일성 저하 및 부산물 재증식 문제를 해결한다. 이들 문제는 첨단 노드 공정에서 높은 종횡비 트렌치 및 비아 구조에서 인산(phosphoric acid)을 사용하는 기존의 습식 벤치 공정에서 자주 발생한다. 질소 버블링 기법은 인산의 전달 효율을 향상시키고 습식 식각조 내의 온도, 농도, 유속의 균일성을 높인다. 습식 식각 공정의 향상된 질량 전달 효율은 웨이퍼 미세 구조 내 부산물 축적을 방지하여 재증식을 막는다.

업그레이드된 Ultra C wb는 중국의 주요 팹에서 공정 검증을 통과했으며, 여러 차례 재구매 주문을 받았다. 현재 여러 고객사가 해당 장비를 평가 중이며, 올해 말까지 장비들을 추가로 공급하게 될 것으로 예상된다.

Ultra C wb 장비의 신규 기능은 우선 향상된 식각 균일성이다. 기존의 배치 공정과 비교해 Ultra C wb 플랫폼은 질소 버블링 기법을 적용해 웨이퍼 내 및 웨이퍼 간 습식 식각 균일성을 50% 이상 개선했다.

이와 함께 입자 제거 성능도 개선했다. Ultra C wb 플랫폼의 첨단 세정 기능은 첨단 노드 공정에서 특수 인산염 첨가제의 유기 잔류물 제거 성능이 입증됐다.

공정 능력도 확장됐다. 업그레이드된 벤치 모듈은 첨단 노드 공정 3개 레이어에 적합하며, 적층 실리콘 질화물 제거, 채널 홀 폴리실리콘 식각 백, 게이트 라인 텅스텐 리세스 등의 기능이 포함된다. 이 장비는 인산, H4 식각제, 수산화 테트라 메틸 암모늄(TMAH), SC1 및 실리콘 게르마늄(SiGe) 식각 솔루션 등 다양한 화학 용액들과 함께 사용이 가능하다.