로옴(ROHM) 주식회사(www.rohm.co.kr)는 기업용 고성능 서버 및 AI 서버의 전원용으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항과 높은 SOA 내량을 실현한 Nch 파워 MOSFET를 개발했다고 26일 밝혔다.

신제품은 기업용 고성능 서버에 사용되는 12V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측 및 핫스왑 컨트롤러(HSC) 회로에 최적인 'RS7E200BG (30V)'와 AI 서버에 사용되는 48V 계통 전원의 AC-DC 변환 회로의 2차측에 최적인 'RS7N200BH (80V)', 'RS7N160BH (80V)'의 총 3개 기종이다.

DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm) 패키지를 새롭게 개발해 기존의 HSOP8(5.0mm×6.0mm) 패키지 대비, 패키지 내부의 칩 면적이 약 65％ 향상됐다. 이에 따라 5.0mm×6.0mm 패키지 사이즈로, ON 저항 특성을 30V 제품인 'RS7E200BG'는 0.53mΩ (Typ.), 80V 제품인 'RS7N200BH'는 1.7mΩ (Typ.)으로 업계 최고 수준의 낮은 ON 저항을 실현해 서버 전원 회로의 고효율화에 크게 기여한다.

또 패키지 내부의 클립 디자인 형상을 개선해 방열성을 향상시킴으로써, 어플리케이션의 신뢰성 확보에 기여하는 SOA 내량도 향상됐다. 특히 30V 제품인 'RS7E200BG'는 SOA 내량이 70A 이상(조건 : 펄스폭=1ms, VDS=12V 시)으로 기존의 HSOP8 패키지 제품에 비해 동일 조건에서 2배 향상됨에 따라 5.0mm×6.0mm의 패키지 사이즈 기준으로 업계 최고 수준인 높은 SOA 내량을 실현했다.

신제품은 월 100만개의 생산 체제로 양산을 개시했다. 생산 거점은 전공정 로옴 주식회사(시가 공장), 후공정 OSAT (태국)이다.