▲로옴의 EcoGaN™ 제품인 650V 내압, TOLL 패키지 GaN HEMT.
▲로옴의 EcoGaN™ 제품인 650V 내압, TOLL 패키지 GaN HEMT.

 

로옴 주식회사(이하, 로옴/www.rohm.co.kr)은 EcoGaN™ 제품인 650V 내압, TOLL 패키지 GaN HEMT가 일본 무라타 제작소 그룹 Murata Power Solutions의 AI 서버용 전원에 채용됐다고 13일 밝혔다.

저손실 동작 및 고속 스위칭 성능을 실현한 로옴의 GaN HEMT는 Murata Power Solutions의 5.5kW 출력 AI 서버용 전원 유닛에 탑재돼 전원의 고효율 동작과 소형화를 지원한다. 해당 전원 유닛은 2025년부터 양산을 개시할 예정이다.

최근 AI 확산에 따라 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있다. 이에 따라 고속 연산 디바이스 등에 전력을 공급하는 AI 서버용 전원에도 조속한 효율 개선이 요구되고 있다. 낮은 ON 저항 및 고속 스위칭 성능이 특징인 GaN 디바이스는 전원의 고효율 동작 및 전원 회로에서 사용되는 인덕터 등 주변부품의 소형화에 기여할 수 있어 주목받고 있다.

 

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