지능형 전력 및 센싱 기술 전문기업인 온세미는 최신 세대 실리콘 카바이드(SiC) 기술 플랫폼인 엘리트 실리콘 카바이드(이하 EliteSiC) M3e MOSFET 도입을 22일 발표했다.

EliteSiC M3e MOSFET은 차세대 전기 시스템의 성능과 신뢰성을 킬로와트(Kw)당 더 낮은 비용으로 구현한다. 또 더 높은 스위칭 주파수와 전압에서 작동하면서 전력 변환 손실을 최소화할 수 있는 이 플랫폼은 전기차 파워트레인, DC 고속 충전기, 태양광 인버터 및 에너지 저장 솔루션과 같은 다양한 자동차과 산업 애플리케이션에 필수적이다.

EliteSiC M3e MOSFET은 온세미의 고유한 설계 엔지니어링과 제조 역량을 통해 신뢰할 수 있고 현장에서 입증된 플라나 아키텍처에서 전도 및 스위칭 손실을 크게 줄일 수 있었다. 이전 세대에 비해 전도 손실을 30%, 턴오프 손실을 최대 50%1까지 낮출 수 있다. 

또 EliteSiC M3e MOSFET은 업계에서 가장 낮은 특정 온 저항(RSP)과 단락 회로 기능을 제공하는데, 이는 트랙션 인버터 시장에서 매우 중요하다. 온세미의 최첨단 디스크리트 및 전력 모듈로 패키징된 1200V M3e 다이는 이전 EliteSiC 기술보다 훨씬 더 많은 상 전류를 제공해 동일한 트랙션 인버터 하우징에서 약 20% 더 많은 출력 전력을 제공한다. 또 특정 전력 수준을 이제 20% 적은 SiC 제품으로 설계할 수 있어 비용을 절감하면서 더 작고 가볍고 신뢰할 수 있는 시스템을 설계할 수 있다.

온세미는 EliteSiC M3e 플랫폼과 함께 사용할 수 있는 게이트 드라이버, DC-DC 컨버터, e-퓨즈 등을 포함한 더 폭넓은 지능형 전력 기술 포트폴리오를 제공한다.