TSMC가 내년까지 총 65대의 EUV(극자외선) 노광장비를 신규 도입한다. 네덜란드 ASML 생산능력의 절반 정도를 점유할 전망이어서 TSMC와 후발 파운드리 기업들과의 생산능력 격차는 더 벌어질 전망이다. 

대만 공상시보는 TSMC가 올해 30대, 내년에 35대의 EUV 설비를 ASML로부터 도입한다고 28일 보도했다. 올해 ASML의 EUV 공급능력은 53대, 내년에는 신규 투자를 통해 72대 수준으로 늘릴 계획이다. 이를 감안하면 TSMC의 EUV 도입 물량은 ASML EUV 공급능력의 절반을 넘나든다. 이달 초 로이터는 TSMC가 ASML로부터 차세대 EUV 장비인 ‘하이-NA’ EUV 설비를 올해 중 공급받을 것이라고 보도한 바 있다. 

하이-NA EUV는 종전 0.33이던 NA(개구수)를 0.55로 늘린 제품이다. 당초 TSMC는 내년쯤 하이-NA EUV를 도입할 것으로 예상했으나 시점을 1~2개 분기 앞당길 것으로 보인다. 

이미 파운드리 선단 공정에서 경쟁사를 압도하는 TSMC가 공격적인 투자 행보를 보이면서 향후 삼성전자⋅인텔과의 격차는 더욱 벌어질 전망이다. 

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 시장에서 TSMC 점유율은 61.7%를 차지했다. 2위 삼성전자는 11%에 그쳐 큰 격차로 2위를 기록했다. 전체적인 점유율 격차보다 더 뼈아픈건 최선단인 3nm(나노미터) 고객사 구색이다. 

TSMC가 애플⋅퀄컴⋅미디어텍⋅엔비디아 등으로부터 대규모 3nm 주문을 받고 있는 것과 달리, 삼성전자에 물량을 맡긴 대형 고객사는 아직 명시적으로 알려진 바가 없다. 삼성전자는 3nm 공정에서 TSMC를 추격하기 위해 TSMC 보다 한 발 앞서 GAA(게이트올어라운드) 기술을 도입했다. TSMC는 3nm까지는 기존 핀펫 공정을 그대로 쓰고 있다. 

이러한 차이에도 불구하고 고객사 구색이나 외부에 알려진 수율과 성능 등에서 아직 TSMC와의 격차를 좁히지 못하고 있다. 올해와 내년 TSMC가 ASML 생산능력의 절반에 달하는 EUV 설비를 도입하고 하이-NA EUV 설비까지 선도입함으로써 당분간 TSMC와의 실력차를 줄이기는 쉽지 않아 보인다.