미쓰비시전기는 2026년 3월까지 실리콘카바이드(SiC) 전력 반도체 생산 능력을 증설하기 위해 당초 목표보다 배 가까이 늘어난 2,600억 엔의 설비투자 계획을 14일 발혔다.

이를 통해 미쓰비시전기는 전기차용 SiC 전력 반도체에 대한 수요가 급격히 증가하고 낮은 에너지 손실, 고온 작동 또는 고속 스위칭과 같은 새로운 애플리케이션을 위한 시장 확대에 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 

이번에 확대하는 설비 투자의 대부분인 약 1,000억 엔은 새로운 8인치 SiC 웨이퍼 공장을 건설하고 관련 생산 시설을 강화하는 데 투입된다. 이와 함께 6인치 SiC 웨이퍼용 생산 시설도 강화해 이 부문의 수요 증가에 대응하기로 했다. 

더불어 미쓰비시전기는 전력 반도체의 조립 및 검사를 위해 현재 후쿠오카 전역에 분산돼 있는 기존 작업을 통합할 신공장에 약 100억 엔을 새롭게 투자할 예정이다. 신규 확대 투자인 나머지 200억 엔은 장비 개선, 환경 조치 및 관련 운영을 목표로 한다.