실리콘카바이드(SiC)에 표면실장(SMD)을 결합했다
실리콘카바이드(SiC)에 표면실장(SMD)을 결합했다
  • 김주연 기자
  • 승인 2020.06.16 17:53
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인피니언, 1700V급 SiC MOSFET '쿨시크' 제품군 출시
100V 입력 전압에서도 싱글 엔디드 플라이백 토폴로지 구현
인피니언테크놀로지스 자사 고유의 트렌치 반도체 기술을 적용한 실리콘카바이드(SiC) 산화막반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 1700V급 표면실장 디바이스(SMD)를 출시했다./인피니언

인피니언테크놀로지스(지사장 이승수)는 자사 고유의 트렌치 반도체 기술을 적용한 실리콘카바이드(SiC) 산화막반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 1700V급 표면실장 디바이스(SMD)를 출시했다고 16일 밝혔다.

이 제품은 SiC의 물리적 특성을 극대화해 매우 우수한 신뢰성과 낮은 스위칭 손실 및 전도 손실을 제공한다.

특히 모터 드라이브, 신재생 에너지, 충전 인프라, HVDC 시스템 등 3상 변환 시스템의 보조 전원에 적합하다. 이러한 저전력 애플리케이션은 대체로 100W 아래에서 동작한다. 이럴 경우 보통은 싱글 엔디드 플라이백 토폴로지를 선호하는데, 이 제품을 쓰면 최대 1000V(DC) 입력 전압에 이르는 DC 링크 연결 보조 회로에도 이 토폴로지를 구현할 수 있다. 이를 통해 풋프린트를 최소화하고 부품비용(BOM)을 줄일 수 있다.

1700V 블로킹 전압은 과전압 마진이나 신뢰성과 관련된 문제들을 제거한다. CoolSiC 트렌치 기술은 동급 트랜지스터 중 디바이스 커패시턴스와 게이트 전하가 가장 낮다. 최신 1500V 실리콘 MOSFET 대비 전력 손실을 50% 이상 낮추고 2.5% 더 높은 효율을 달성한다. 1700V 실리콘 MOSFET과 비교해서는 효율이 0.6% 더 높다. 손실이 낮아 히트싱크 없이 자연스러운 대류 냉각을 사용할 수 있어 컴팩트한 SMD 어셈블리가 가능하다.

1700V CoolSiC 트렌치 MOSFET 제품들은 +12V/0V 게이트-소스 전압을 사용하는 플라이백 토폴로지에 적합하며 일반적인 PWM 컨트롤러와 호환된다.  게이트 드라이버 IC가 필요하지 않고 플라이백 컨트롤러에서 직접 동작할 수 있다. 온(on) 저항 정격은 450mΩ, 650mΩ, 1000mΩ다. 새로운 7리드 D2PAK SMD 패키지를 채택하고 7mm 이상의 확장된 연면거리 및 공간거리를 제공한다. 따라서 1700V 애플리케이션과 PCB 요구조건을 충족하며, 절연에 필요한 수고를 최소화할 수 있다.

피터 프리드릭(Peter Friedrichs) 인피니언의 산업용 전력 제어 사업부 SiC 담당 선임 이사 겸 박사는 “성능과 신뢰성을 모두 충족하는 CoolSiC MOSFET 트렌치 기술을 적용한 1700V 제품을 제공하게 됐다"며 "SiC의 우수한 특성들을 극대화하여 소형화된 풋프린트와 낮은 손실을 고전압 SMD 패키지에 구현했다"고 말했다.

 


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