중국에서 3세대 반도체 재료를 적용한 통신 칩 웨이퍼를 개발했다고 밝혔다.

중국 나브테크(NAVTECH)는 자회사인 쮜능징위안(聚能晶源)반도체재료유한회사가 8인치 '질화갈륨온실리콘(GaN-on-Si)' 에피택셜(epitaxial) 웨이퍼 개발에 성공했다고 공고했다.

제품은 2019년 출시될 예정이며 주로 5G 통신 기지국 등에 사용될 예정이다. 주로 외산에 의존하던 제품을 국산화할 수 있을 것이란 기대감에 휩싸여있다.

나브테크에 따르면 질화갈륨온실리콘은 기존 2세대 반도체 실리콘(Si)과 갈륨비소(GaAs) 등 재료와 비교했을 때, 더 큰 밴드갭(>3eV)을 가진 3세대 반도체 재료 질화갈륨(GaN)을 적용한다. 일반적으로 와이드 밴드갭 반도체 재료로 불린다.

와이드 밴드갭의 우위를 통해 GaN 재료는 전장(electric field)을 직통하고 고유 운반체(intrinsic carrier) 농도 등에 따라 항 조사(辐照) 능력이 실리콘, 갈륨비소 재료 대비 뚜렷하게 우위에 있다. 특징상 고전력밀도와 속도 특징을 가지는 마이크로파 전자 부품 적용에 유리해 5G 통신, 클라우드컴퓨팅, 고속충전, 무선충전 등 영역에서 전망이 밝다.

나브테크는 이번 8인치 지로하갈륨온실리콘 에피택셜 웨이퍼 개발로 제품이 글로벌 표준에 맞춰 재료, 기계, 전압, 내구성, 수명 등 방면에서 성능을 바탕으로 5G 통신 등 영역에 적용될 것이라고 밝혔다.