미국 CPU 업체 AMD가 이종호 과학기술정보통신부 장관이 교수 시절 등록한 핀펫(FinFET) 특허에 대해 무효 심판을 제기했다. 케이아이피(KAIST IP)가 AMD와 진행 중인 특허 침해 분쟁에 대한 반격 차원이다.이 장관의 핀펫 특허는 기존 평면 구조의 트랜지스터를 3차원 입체 구조로 전환한 전기를 마련한 것으로 평가된다. 현재는 KAIST로 특허권이 양도된 상태다.
반도체 회로 패턴을 그리는 노광장비는 중국 반도체 산업의 가장 큰 아킬레스건으로 꼽힌다. 네덜란드 ASML의 노광장비 없이는 14nm(나노미터) 이후의 미세 회로 패턴을 그릴 방법이 없다. 여기에 미국이 쥐고 있는 중국 반도체 견제 장치가 하나 더 있다. 바로 반도체 EDA(설계자동화) 툴이다. 노광장비가 설계도에 따라 반도체를 만드는 도구라면, EDA 툴은 설계도 자체를 그리는 연필이다. EDA 툴 시장에서 중국의 자급률은 2%가 채 안 된다.
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
인텔은 5일 국제전자소자학회(IEDM) 2022에서 2030년까지 단일 패키지에 1조개의 트랜지스터를 탑재하는 등 무어의 법칙을 지속하기 위한 주요 연구 성과를 발표했다.인텔은 집적도 10배 달성에 기여할 3D 패키징 기술, 리본펫(RibbonFET)을 뛰어넘는 2D 트랜지스터를 위한 원자 3개 두께의 초박형 신규 물질, 더 높은 성능의 컴퓨팅을 위한 에너지 효율성 및 메모리 부문 성과, 양자 컴퓨팅 개선 사례 등을 소개했다.앤 켈러허 박사(Dr. Ann Kelleher), 인텔 기술 개발 부문 총괄 겸 수석부사장이 트랜지스터 발명
대만 TSMC는 애리조나 피닉스에 짓고 있는 5nm(나노미터) 파운드리 공장이 오는 6일 장비 반입식을 개최한다고 밝혔다. 이 자리에는 조 바이든 미국 대통령, 지나 레이몬도 미국 상무부장관 등 주요 인사와 TSMC 고객사⋅협력사 관계자들이 대거 참석할 예정이다. 피닉스 공장 건설 프로젝트는 2020년 발표돼 이듬해 착공했으며, 양산은 오는 2024년으로 계획하고 있다. 첫 양산 규모는 300㎜ 웨이퍼 투입 기준 월 2만장 수준이다. 총 투자규모는 120억달러(약 15조7000억원)다. TSMC는 피닉스 5nm 팹 외에 3nm 팹도
삼성전자가 대만 파워칩⋅뱅가드에 발주하는 파운드리 물량을 늘릴 전망이라고 중국 IT즈자가 20일 보도했다. 매체는 삼성전자가 드라이버IC⋅이미지센서 등 시스템반도체 공급망을 다변화하기 위해 다수의 파운드리 회사들과 접촉 중이라고 설명했다. 삼성전자 비메모리 사업은 설계를 맡는 시스템LSI 사업부와 제조를 맡는 파운드리 사업부로 나뉜다. 파운드리 사업부가 시스템LSI에서 분사될 때만 해도 일정기간 자사 파운드리 사업부에 독점적으로 생산물량을 할당하기로 계약했으나, 이제는 그 기간이 종료됐다. 따라서 시스템LSI 사업부는 파운드리 발주
최고의 반도체 IP제공업체인 아라산 칩 시스템즈(Arasan Chip Systems)는 오늘 자사의 MIPI DSI-2, CSI-2 및 C-PHY/D-PHY Combo IP가 테스트메트릭스(Testmetrix) C/D-PHY HDK 및 적합성 테스트 플랫폼에서 성공적으로 구현되었다고 발표했다. 새너제이, 캘리포니아, 2022년 10월 20일 /PRNewswire/ -- 아라산 칩 시스템즈(Arasan Chip Systems)는 C-PHY / D-PHY Combo IP 코어를 포함한 아라산의 종합 미피 아이피 솔루션(Total MI...
대만 폭스콘과 인도 베단타 그룹의 반도체 전문 합작사가 28nm(나노미터) 파운드리 사업을 우선 전개한다고 포커스타이완이 17일 보도했다. 양산 시점은 오는 2025년부터라고 아카쉬 헤바(Akarsh Hebbar) 베단타 그룹 디스플레이⋅반도체 사업 담당 이사가 밝혔다. 28nm 공정은 자동차⋅가전⋅스마트폰 등 다양한 애플리케이션에 폭넓게 활용되는 노드다. 현재의 핀펫(FinFET) 구조의 로직 반도체가 나오기 전 일반 2차원 트랜지스터 구조의 마지막 기술이다. 업계가 오래 양산해 온 기술인 만큼 신뢰도가 높고, 공정 비용도 핀펫
대만 TSMC가 오는 2024년 고개구수(High NA, 하이 NA) EUV(극자외선) 노광장비를 도입한다고 IT즈자가 16일 보도했다. 하이 NA EUV 장비는 네덜란드 ASML이 생산하는 EUV 설비 중 광학부품의 해상력을 높인 제품이다. 현재 TSMC를 비롯해 글로벌 파운드리 업체들이 도입하는 EUV 설비로는 3nm(나노미터) 안팎 제품까지 생산할 수 있으나 2nm, 혹은 옹스트롱 단위 미세공정까지 구현하려면 하이 NA 노광장비가 필수다. 하이NA EUV 노광장비는 한 대 가격이 4억달러(약 5600억원) 정도로, 기존 EUV
인텔과 미디어텍(MediaTek)은 25일 인텔 파운드리 서비스(Intel Foundry Services, 이하 IFS)의 첨단 공정 기술을 사용해 칩을 제조한다는 전략적 파트너십을 체결했다고 밝혔다. 미디어텍은 인텔의 공정 기술을 활용해 다양한 스마트 에지 디바이스용 칩들을 제조할 계획이다. IFS는 3차원 핀펫(FinFET) 트랜지스터부터 차세대 로드맵에 기반한 고성능 저전력의 올웨이즈온 커넥티비티에 최적화된 기술을 포함한 광범위한 제조 플랫폼을 제공한다.IFS는 지난해 첨단 반도체 제조 역량에 대한 급증하는 전세계적인 수요를
삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.* 대덕전자 김영재 대표이사, 동진쎄미켐 이준혁 대표이사, 솔브레인 정현석 대표이사, 원세미콘 김창현 대표이사, 원익IPS 이현덕 대표이사, 피에스케이 이경일 대표이사
경기 불황에 대한 공포가 파운드리 산업 수요⋅공급을 급반전 시킨 가운데, 제조업계는 28nm(나노미터) 수급 향방에 관심을 모은다. 28nm는 이미지센서⋅DDI(디스플레이용 드라이버IC)⋅자동차용 센서 등 완제품 측면에서 가장 수요가 많았던 노드 중 하나다.
삼성전자가 세계서 처음 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3nm(나노미터) 파운드리 공정 초도 양산을 시작했다. 기존 핀펫 구조는 전류가 흐르는 채널을 게이트가 3면에서 제어한다면, GAA는 4면에서 제어하는 기술이다. 이를 통해 시스템 반도체 평가 척도인 PPA(소비전력⋅성능⋅면적) 수치를 극대화 할 수 있다. 삼성전자는 GAA 기술을 이용해 3nm급 고성능 컴퓨팅용 시스템 반도체를 초도 양산한다고 30일 밝혔다. GAA는 삼성전자가 대만 TSMC를 따라잡기 위해 반도체 업계서 처음 양산을 시도하는 기술이다. T
대만 TSMC가 1nm 공정 투자를 고려하고 있는 정황이 포착됐다. 29일 중국 언론 콰이커지에 따르면 TSMC의 웨이저자(魏哲家) 총재가 최근 타이중(台中)시를 시찰하고 현지에 8000~1조 대만달러(약 34조 2700억~42조 8000억 원) 가량을 투자할 의향이 있다고 밝혔다. 약 7000~8000명의 고용을 창출할 것으로 예측됐다. TSMC는 타이중시 중부과학단지에서 88헥타르 토지를 확장해 2nm 웨이퍼 공장을 건설한다. 2027년 양산할 계획이다. 신주(新竹) 단지 2nm 공장은 2025년 양산할 계획이다. 하지만 매체가
TSMC가 내년 2nm 트랜지스터에 기존 노드와 다른 새로운 공정을 적용한다고 밝혔다. 22일 중국 언론 IT즈자에 따르면 이날 우시(无锡) 타이후(太湖)국제박람센터에서 열린 '중국 반도체 회로 설계업 2021년 및 우시 반도체 산업혁신발전고위포럼(ICCAD2021)'에 참석한 TSMC의 중국 난징법인 뤄전치우(罗镇球) 총경리는 "내년 3월 5nm 자동차 전자 공정 플랫폼을 출시할 것"이라며 "동시에 2nm 노드 나노시트/나노와이어(Nanosheet/Nanowire) 트랜지서트 구조 및 신재료를 채용할 것"이라고 밝혔
IBM과 삼성전자가 반도체 트랜지스터에서 전류가 수직 방향으로 흐르는 VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistors) 기술을 개발했다. 이를 통해 한정된 반도체 공간 내에 더 많은 수의 트랜지스터를 내장하고, 기존 핀펫(finFET) 대비 최대 85%의 전력을 절감할 수 있다고 발표했다.컨테이너 수직으로 세워 공간을 절감하는 구조 IBM과 삼성전자는 수직 구조의 트랜지스터가 적용된 VTFET를 개발했다고 15일 밝혔다. VTFET은 이전에 낸드플래시 메모리가 수평으로 제조되다가 수직으로 구
인텔 무어의 법칙을 지속적으로 추구하면서 향후 10년 동안 컴퓨팅을 발전 및 가속화하는데 필수적인 핵심 패키징, 트랜지스터, 양자 물리학 분야의 혁신 기반을 공개했다.인텔은 11일(현지시간)부터 나흘간 미국 샌프란시스코에서 열리는 IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2021을 통해 컴퓨팅 기술에 혁명을 일으킬 수 있는 물리학의 새로운 개념을 공개했다. 특히 하이브리드 본딩을 바탕으로 패키징에서 10배 이상의 상호연결 집적도 개선, 30~50% 상당의 트랜지스터 면적 개선, 새로운 전력, 메모리 기술 혁신 등이 집중 조명됐다로버트 차
TSMC가 지난해 5nm 공정을 양산한 데 이어 올 연말 3nm 공정 생산에 돌입했다. 2일 중국 언론 콰이커지에 따르면 TSMC의 팹18(Fab 18)이 3nm 칩 시생산에 돌입했다.난커(南科)공업단지에 위치한 팹18은 최신 공정이 적용된 생산기지로, 5nm/4nm 공정 공장이 4동, 3nm 공장이 3동 있다. 차세대 3nm 공정은 GAA 트랜지스터를 사용하지 않고 핀펫(FinFET) 공정을 계속 사용할 예정이다. 삼성전자는 3nm GAA 공정을 택했지만 TSMC는 보수적 기술을 택해 다소 빠르게 속도를 내고 있는 것이라고 분석됐
◆ 글로벌파운드리가 올해 체결한 주요 다년 계약 현황 ◆ 글로벌파운드리 생산능력 현황
SMIC가 12인치와 8인치 생산능력을 늘린다. 중국 언론 지웨이왕에 따르면 SMIC는 18일 투자자 교류 플랫폼에서 12인치 1만 장, 8인치 4만5000장 규모의 생산능력을 확장해 고객 수요에 대응할 것이라고 밝혔다. 총 5만5000장 규모다. 이같은 내용은 한 투자자가 올해 신규 생산능력 확장 계획을 묻자 내놓은 답으로 공개됐다. SMIC는 지난 7월 1분기 가동률이 98.7%이며, 사오싱(绍兴) 소재 공장은 이미 월 7만 장을 생산하는 데 가동률이 99%라고 전한 바 있다. 이에 생산능력을 늘리기 위한 조치를 이어가고 있다.