중국 메모리 기업 기가디바이스(GIGADEVICE)가 램버스(Rambus)와 메모리 특허 협약을 체결했다. 기가디바이스는 12일 램버스와 R램(RRAM, ReRAM) 기술 특허 수권 협약을 맺었다고 밝혔다. 기가디바이스는 램버스와 전략적 협력사인 릴라이언스메모리(Reliance Memory)와도 협약을 맺었다. 

협약 내용에 따르면 기가디바이스는 램버스와 릴라이언스메모리로부터 180여 항의 R램 기술 관련 특허와 애플리케이션을 매입했다. 이는 기가디바이스의 신형 메모리 R램 개발에 기여하면서 임베디드 제품을 위한 메모리 솔루션 공급에 적용될 예정이다. 

R램은 차세대 메모리로 꼽히는 기술 중 하나로서 산화물에 가하는 전압에 의해 전류가 흐르는 통로가 생성되고 없어짐에 따른 재료의 저항 변화를 이용해 정보를 저장하는 메모리다. 플래시 메모리 대비 속도 등 성능이 높다.

이번 특허 협약은 중국 기업으로선 지난 달 27일 램버스와 특허 매입 협약을 체결한 창신메모리에 이은 사례다. 

최근 수십년 간 인텔, AMD, 엔비디아, 퀄컴, 삼성전자 등 기업이 램버스와 특허 협약을 맺었지만 중국 기업들이 적극적으로 메모리 반도체 시장에 진입하면서 특허 확보에 공을 들이는 형세다.

램버스가 기가디바이스와 체결한 협약의 구체적 금액 등은 공개되지 않았다. 

기가디바이스는 중국의 대표적 메모리 반도체 기업 중 하나로서 주로 노어(NOR) 시장에서 다양한 제품을 내놓고 있다. 최근 몇 년간 적극적으로 메모리 반도체 시장에 진출하면서 창신메모리와도 메모리 반도체 협력 관계를 맺고 공동으로 19nm 플래시 메모리를 개발했다. 기가디바이스의 창업자 주이밍(朱一鸣)이 창신메모리의 회장이기도 하다. 

기가디바이스는 지난해 말 33억2000만 위안을 대출, 주로 D램 연구개발과 산업화에 사용할 것이라고 밝혔다. 이르면 내년 양산을 시작한다. 

회사의 로드맵에 따르면 올해 첫 D램 상품 정의를 시작하고 시장과 상품 규격, 칩 설계 공정을 확정한다. 이어 생산 공정을 정하고 테이프아웃 작업을 진행하면서 반복 검증을 이행한다. 이어 내년 검증을 마치고 소량 생산에 나선다. 테스트에 성공하면 대량 생산으로 이어진다.