연말 양산 계획...첫 제품 선보여

중국 메모리 반도체 개발 기업이 25조 원을 쏟아 부은 D램 생산라인이 결실을 앞두고 있다. 

20일 안후이성 허페이에서 열린 '2019세계제조업대회'에서 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 1500억 위안(약 25조1805억 원)을 투자한 자체 개발 D램 생산라인의 시생산에 돌입했다고 밝혔다. 

이날 CXMT는 '10nm 1세대 8Gb DDR4' 제품을 처음으로 공개하고 1기 생산능력은 월 12만 장이며 올해 연말 첫 물량이 탑재된 상품이 소비자에 판매될 것으로 내다봤다. 

 

▲CXMT 이미지. /CXMT 제공
▲CXMT 이미지. /CXMT 제공

 

이 12인치 메모리 반도체 생산라인은 2016년 허페이시와 베이징 기가디바이스(GigaDevice)가 공동으로 투자한 중국 최대 D램 생산기지다. 

창장메모리(YMTC), 푸졘진화와 함께 중국 3대 메모리 반도체 산업 기지로 꼽혀왔다. 

올해 9월 64단 엑스태킹(Xtacking) 3D 낸드 상품 양산을 선포하기도 했다. 

중국 전문가들은 CXMT의 시생산 선포가 중국 메모리 반도체 영역의 기술 돌파구 마련을 의미한다고 분석했다. 

중국전자보에 따르면 CXMT는 최근 이미 극자외선(EUV), 하이케이메탈게이트(HKMG), GAA(Gate All Around) 등을 동원해 D램 신기술을 모색하고 있다. 

저작권자 © KIPOST(키포스트) 무단전재 및 재배포 금지