[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조 대기업(삼성, LG, SK, 현대) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. 시스템반도체 발목잡는 허약한 디자인하우스 생태계2. 美 5G 투자, 내년 정점... 지원금·대역 확보3. BOE 충칭 B12 OLED 라인, 장비 발주 업데이트(2)
삼성전자의 평택 2라인이 양산 가동에 돌입했다. 첫 제품은 극자외선(EUV) 기반 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이다. 내년 하반기에는 이 생산라인에서 파운드리 사업부의 5나노 3세대 공정 제품과 메모리 사업부의 V낸드가 양산된다.삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 평택 2라인이 양산 가동을 시작했다고 30일 밝혔다. 지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공됐다. 평
신종 코로나 바이러스 감염증(코로나19)에도 메모리 시장은 호조를 이어가고 있다. 서버 업계의 수요가 모바일 시장의 부진을 상쇄할 수 있을 정도로 증가했기 때문이다. 코로나19로 인한 ‘디지털 컨택트(Digital Contact)’ 현상도 메모리 업계에 호재로 적용하고 있다.SK하이닉스는 지난 1분기 전 분기 대비 4% 증가한 7조1990억원의 매출을 올렸다고 23일 밝혔다. 같은 기간 영업이익은 무려 239% 증가한 8000억원을, 영업이익률은 11%를 기록했다. 계절적 비수기에 코로나19까지 겹치면서 모바일용 D램과 낸드 매출은
삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 역대 최고 속도·최대 용량을 구현한 '16GB LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) 모바일 D램'을 평택 1공장에서 본격 양산하기 시작했다고 25일 밝혔다. 16GB LPDDR5 모바일 D램 양산을 시작한 건 삼성전자가 처음으로, 회사는 지난해 7월 12GB LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 출시한 바 있다.16GB 모바일 D램 패키지는 2세대 10나노급(1y) 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개가 탑재됐다. 현재 하이엔드 스마트폰에 내장되는 모
SK하이닉스(대표 이석희)는 지난해 매출 26조9907억원, 영업이익 2조7127억원을 달성했다고 31일 밝혔다.글로벌 무역 갈등 등 시장 변동에 대응하기 위해 선제적으로 투자와 생산량을 조정했지만, 수요 둔화와 가격 하락이 이어지면서 타격을 입었다. 작년 매출 및 영업이익은 전년도 매출(40조4051억원) 및 영업이익(20조8438억원)에 비해 각각 33%, 87% 감소했다.하지만 재고를 덜어낸 데이터센터 업체와 5G 스마트폰 출하량 확대로 시장에 하반기부터 다시 훈풍이 불기 시작했다. SK하이닉스는 4분기 달러화 약세에도 불구하
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조 대기업(삼성, LG, SK, 현대) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. 구글의 '데이드림' 실패가 디스플레이 업계에 주는 교훈2. 폴더블 전용 테스트 장비로 '갤럭시 폴드' 내구성 평가해보니3. BOE "화웨
SK하이닉스(대표 이석희)는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 출하할 계획이다.이 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 극자외선(EUV) 공정 없이도 생산할 수 있게 해 원가 경쟁력을 확보했고, 2세대 10나노급(1y) 제품 대비 생산성은 약 27% 향상됐다.데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적
삼성전자가 내년 프리미엄 D램 수요 증가를 반영, 올해 하반기 1z나노 D램을 양산한다.삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다. 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만이다. 1z나노 D램은 올해 하반기부터 양산한다.1z나노 D램은 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선했다
SK하이닉스의 신규 팹 'M16'이 첫 삽을 떴다.SK하이닉스(대표 이석희)는 19일 이천 본사에서 ‘M16 기공식’을 열었다고 밝혔다. 이 날 행사에는 최태원 SK그룹 회장, 최재원 SK그룹 수석부회장, 조대식 SK수펙스추구협의회 의장, 박성욱 SK그룹 ICT위원장, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 건설 관련 임직원 등 약 200여 명이 참석했다.2020년 10월 완공 예정인 M16은 이천 본사 내 5만3000㎡ 부지에 들어선다.생산 제품의 종류와 규모는 시황과 회사의 기술 발전 등을 고려해 결정할 방침인데, 차세대
D램 회로 선폭이 10나노 중반대에 접어들었다.업계는 당장 내년 1z 나노부터 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용하는 방안을 검토 중이다. 생각보다 기술 난이도가 높아서다. 하지만 EUV를 도입한다고 해서 끝나는 게 아니다. EUV로도 해결하지 못하는 난제들이 산적해있다. 커패시터 유전막, 두 마리 토끼를 잡아라 D램 셀이 동작하려면 셀의 크기와 집적도에 관계 없이 특정 값 이상의 정전용량(C)을 가져야한다. 정전용량(C)은 커패시터의 유효 표면적(A)과 커패시터를 감싸고 있는 유전막의 유전율(ε)에 비례하고, 유전막의 두께(L)에
공식은 깨졌다 이전까지 메모리 시장은 ‘수요 증가→생산량 확대→수요 둔화→공급 과잉→가격 하락→시장 규모 축소→수요 증가…’의 사이클에 따라 등락을 거듭해왔다.하지만 투자에 드는 비용이 수천억원에서 수조원으로 뛰면서 메모리 업계는 어느 때보다 수요에 민감하게 반응하고 있다. 삼성이 평택 2층 1y 나노 D램 생산 라인에 대한 투자를 보류한 건 지난 상반기 D램 가격이 꾸준히 상승하고 있던 때였다. D램에서 내년 생산량이 증가하는 곳은 SK하이닉스의 우시 2공장, 마이크론의 팹(Fab)15다. 우시 2공장에서는 20나노급 D램이, 팹
[The Korea Industry Post (kipost.net)] 메모리 반도체 업계에서 독주하고 있는 ...