삼성, 하반기부터 1z나노 D램 양산 개시… 내년 수요 반영
삼성, 하반기부터 1z나노 D램 양산 개시… 내년 수요 반영
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.03.21 09:52
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1y나노 D램 양산한 지 16개월만에… EUV 없이 생산성 20% 향상

삼성전자가 내년 프리미엄 D램 수요 증가를 반영, 올해 하반기 1z나노 D램을 양산한다.

삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.

 

▲삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다./삼성전자
▲삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다./삼성전자

2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만이다. 1z나노 D램은 올해 하반기부터 양산한다.

1z나노 D램은 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선했다.

삼성전자의 1z나노 D램 기반 PC용 DDR4 모듈은 글로벌 중앙처리장치(CPU) 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 받았다. 향후 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력, 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시킬 예정이다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다.

내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다. 내년 차세대 프리미엄 D램 수요 확대를 반영, 평택 양산 체제도 안정적으로 구축해 초격차 사업 경쟁력을 강화할 예정이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.



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