삼성, EUV 기반 1z나노 D램 출하... 평택 2라인 가동
삼성, EUV 기반 1z나노 D램 출하... 평택 2라인 가동
  • 김주연 기자
  • 승인 2020.08.31 11:19
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5나노 파운드리 생산라인 및 V낸드 생산라인은 내년 하반기 양산 가동
삼성전자의 평택 2라인./삼성전자

삼성전자의 평택 2라인이 양산 가동에 돌입했다. 첫 제품은 극자외선(EUV) 기반 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이다. 내년 하반기에는 이 생산라인에서 파운드리 사업부의 5나노 3세대 공정 제품과 메모리 사업부의 V낸드가 양산된다.

삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 평택 2라인이 양산 가동을 시작했다고 30일 밝혔다. 

지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공됐다. 평택 2라인은 연면적 12만8900㎡의 복층 건물로, 세계 최대 규모의 반도체 생산라인이다. 기존 반도체 장비에 비해 부피가 크고 고전력을 소모하는 EUV 장비를 들일 수 있을 정도로 크다.

착공 당시 D램에서 시작, 지난 5월 EUV 기반 파운드리 생산라인과 6월 낸드 플래시 생산라인도 추가 착공했다. EUV 기반 파운드리 생산라인은 5나노 3세대 공정(가칭 5LPI·Low Power Improve)이 진행되며, 첫 고객사는 엔비디아다.(참고 2020년 6월 2일 <윤곽 드러난 삼성 5나노 고객사... 'LPI' 포함한 3가지 버전으로 출시>)

파운드리 생산라인과 낸드 생산라인은 모두 내년 5~6월 중 시생산을 시작해 하반기 대량 양산 체제로 전환된다.

평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 삼성전자의 직접 고용 인력은 약 4000명으로 예상되고 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다. 

 

최첨단 EUV D램 본격 양산

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다. 당초 삼성전자는 EUV를 쓰지 않는 1z나노 D램을 개발했지만, 수율 안정화에 실패하면서 EUV를 도입하는 것으로 방향을 바꿨다. 

16Gb LPDDR5 D램은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5500Mb/s)보다 동작속도가 16% 빠른 6400Mb/s다. 16GB 64핀 패키지 기준으로 초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.

또 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 8개 + 8Gb 4개) 대비 패키지 두께를 30% 줄일 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공한다.

현재 1z나노 16GB 모바일 D램을 제공하는 업체는 삼성전자 뿐이다. 이에 삼성전자는 내년 출시되는 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획으로, 이와 함께 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.



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