SK하이닉스, EUV 없이 1z나노 D램 개발 성공… 내년 출하
SK하이닉스, EUV 없이 1z나노 D램 개발 성공… 내년 출하
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.10.21 09:39
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb 구현… 1y 공정 대비 생산성 27% 향상
SK하이닉스가 EUV 없이 1z나노 공정에서 16Gb D램을 개발했다./SK하이닉스

SK하이닉스(대표 이석희)는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 출하할 계획이다.

이 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 극자외선(EUV) 공정 없이도 생산할 수 있게 해 원가 경쟁력을 확보했고, 2세대 10나노급(1y) 제품 대비 생산성은 약 27% 향상됐다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 소모량은 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 40% 적다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신소재를 적용, D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 또한 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

이정훈 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라고 말했다.

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5, 3세대 고대역폭메모리(HBM3) 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.