삼성전자가 복수의 EUV(극자외선) 공정을 적용한 14nm(나노미터) D램 양산에 들어갔다. 지난해 삼성전자가 D램에 처음 EUV 공정을 도입한 3세대 10나노급(1z) D램보다 EUV 공정 빈도가 늘면서 관련 후방 산업에도 큰 영향을 미칠 전망이다. 

삼성전자는 멀티레이어 EUV 공정이 적용된 14nm급 DDR5 D램을 양산한다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다. 당시 생산품목은 EUV 공정이 1개층에만 적용된 1z D램이었다. 

이번 14nm급 DDR5 D램은 회로 선폭이 더 줄면서 EUV 적용 층수를 5개로 늘렸다. EUV를 적용하면 기존에 멀티패터닝(여러번의 증착·노광·식각의 반복) 기술을 통해 구현하던 미세 회로를 단숨에 구현할 수 있다는 점에서 생산성이 높아진다. 대신 EUV 노광기 운용 수율 등 제반 기술이 뒤따라 줘야 한다. 

EUV 노광장비를 독점 생산하는 네덜란드 ASML에 따르면 7nm(로직반도체) 제품을 EUV 장비 없이 생산할 때와 비교하면, EUV 공정을 도입했을 때 12% 공정비용을 절감할 수 있다(KIPOST 2020년 11월 24일자 <EUV 시대에도 DUV 발전은 계속된다> 참조.) 

삼성전자측은 이번에 생산된 14nm D램이 이전 세대 대비 생산성이 약 20%, 소비전력도 20% 개선됐다고 밝혔다. 

한편 DDR5 D램은 는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 AI(인공지능)·머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터·슈퍼컴퓨터·기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다. 

삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)는 "삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14nm 공정을 구현했다"며 "고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다"고 밝혔다.