TSMC가 8월 30일 2022 기술 포럼을 개최한 가운데, 웨이저자(魏哲家) TSMC CEO가 2025년 2nm 양산 등 계획을 발표했다.중국 아이지웨이에 따르면 웨이저자 CEO가 이날 발표한 TSMC의 핵심 일정표 중 하나는 3nm 및 2nm 양산 계획이다. 그는 TSMC의 5nm 양산이 올해 들어 3년차에 접어들었다며, 지금까지 200만 개 이상의 12인치 웨이퍼를 생산했다고 말했다. 5nm 제품군에는 4nm, N4Pnm, N4Xnm가 포함된다. 이어 3nm 양산과 관련해 많은 어려움을 겪고 있으나 곧 양산을 시작할 수 있을
‘칩4(CHIP4)’ 동맹권인 미국⋅일본⋅대만⋅한국을 제외하면, 첨단 반도체 서플라이체인에서 가장 주목받는 나라는 네덜란드다. EUV(극자외선) 노광장비를 독점 공급하는 ASML 본사가 있다는 이유로 반도체 패권 경쟁의 주요 카드로 네덜란드가 거론된다. 그러나 미래 반도체 기술에서 네덜란드 이상으로 중요 위치를 차지할 나라로 또 다른 유럽 국가인 오스트리아가 부각되고 있다.
국내와 중국을 거점으로 생산 라인을 운영해온 SK하이닉스가 첫 미국 공장 건설에 나선다. 삼성전자가 파운드리를 앞세워 미국 현지 생산체제를 갖춰왔지만, 메모리 사업 비중이 절대적인 SK하이닉스는 미국 진출 명분이 다소 부족했다. 고객과의 접점이 중요한 파운드리 사업과 달리, 메모리는 조금이라도 더 싸게 생산하는 게 우선이다. 관련 산업이 한국⋅중국⋅일본⋅대만 등 동아시아를 중심으로 발전해 온 이유다. 특히나 이번에 SK가 미국에 짓기로 패키지(후공정)는 팹 대비 인건비 비중이 훨씬 높다는 점에서 향후 SK하이닉스의 행보에 관심이 쏠린다.
숨가쁘게 변화하는 산업 환경에서 매주 기업들 소식이 쏟아져 나옵니다. KIPOST는 다양한 전자 제조 관련 기업들의 사업 전략과 수행 실적을 엿볼 수 있는 정보들을 일주일간 한 데 모아 제공합니다.
삼성전자가 오는 2025년쯤 파운드리 사업부가 투자 선순환 구조로 접어들 것으로 예측했다. 현재는 매분기 조단위 투자를 집행하는 것과 달리, 영업이익은 수천억원 정도에 그친다. 3년 뒤에는 파운드리 자체적으로 벌어들이는 수익으로 투자 재원을 마련할 만큼 수익성이 확보될 것이라는 뜻이다.강문수 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 28일 2분기 실적발표 후 열린 컨퍼런스콜에서 “현재의 성장성이 유지되는 것을 전제로 2025년쯤이면 자체 투자 재원을 마련할 수 있는 수익성에 도달할 것”이라고 말했다. 강 부사장은 “신규 라인인 평택은 20
삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다. 이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.* 대덕전자 김영재 대표이사, 동진쎄미켐 이준혁 대표이사, 솔브레인 정현석 대표이사, 원세미콘 김창현 대표이사, 원익IPS 이현덕 대표이사, 피에스케이 이경일 대표이사
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조업 그룹(삼성, SK, 현대차, LG) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. 소재 개발 시뮬레이션, 신소재 개발 장벽 낮춘다2. 미국, 네덜란드 협조 없이도 EUV⋅DUV 중국 수출 제한 가능할까3. [한눈에 보는 Weekly 기업 소식]
경기 불황에 대한 공포가 파운드리 산업 수요⋅공급을 급반전 시킨 가운데, 제조업계는 28nm(나노미터) 수급 향방에 관심을 모은다. 28nm는 이미지센서⋅DDI(디스플레이용 드라이버IC)⋅자동차용 센서 등 완제품 측면에서 가장 수요가 많았던 노드 중 하나다.
전략적 파트너십 통해 획기적인 기술 개발로 글로벌 반도체 제조업체에 강력한 케미컬 공급망 제공 및 차세대 EUV 도입 위한 R&D 지원 샌프란시스코, 캘리포니아, 2022년 7월 19일 /PRNewswire/ -- 램리서치(NASDAQ: LRCX), 인테그리스(Entegris, Inc. NASDAQ: ENTG), 미쓰비시 케미칼 그룹 회사인 젤레스트(Gelest, Inc. a Mitsubishi Chemical Group company)는 미국 현지 시간 7월 12일 글로벌 반도체 제조업체의 차세대 반도체 생산에 사용되는 램리서치...
미국이 EUV(극자외선) 외 기존 DUV(심자외선) 노광장비 중국 수출까지 막아달라고 네덜란드 정부에 요청하면서 반도체 산업 패권을 둘러싼 전운이 재고조되고 있다. 사실 미국은 네덜란드의 협조 없이도...
삼성전자가 업계 최고 속도인 '24Gbps GDDR6(Graphics Double Data Rate) D램'을 개발했다고 14일 밝혔다.삼성전자 '24Gbps GDDR6 D램'은 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용한 3세대 10나노급(1z) 공정을 기반으로 한 16Gb 제품이다. 또 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, HKMG) 기술도 적용돼, 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 동작 속도가 향상됐다.특히 삼성전자는 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC의 표준규격에 맞춰 GDDR6 D램을 개발해
미국이 네덜란드 정부로 하여금 ASML의 ArF(불화아르곤) 및 KrF(불화크립톤) 노광장비 수출까지 금지해 달라고 요청한 것으로 알려졌다. ArF는 EUV(극자외선) 도입 이전까지 가장 첨단 시스템반도체 생산에 사용되던 노광장비며, KrF는 3D 낸드플래시 제조에 사용한다.블룸버그통신은 돈 그레이브스 상무부 부장관이 5월 말부터 지난달 초까지 네덜란드를 방문해 ASML의 DUV(심자외선) 노광장비의 중국 판매 금지를 요청했다고 5일(현지시간) 보도했다. DUV 노광장비는 EUV가 양산에 적용되기 전 가장 첨단 반도체 생산 공정에
삼성전자가 세계서 처음 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3nm(나노미터) 파운드리 공정 초도 양산을 시작했다. 기존 핀펫 구조는 전류가 흐르는 채널을 게이트가 3면에서 제어한다면, GAA는 4면에서 제어하는 기술이다. 이를 통해 시스템 반도체 평가 척도인 PPA(소비전력⋅성능⋅면적) 수치를 극대화 할 수 있다. 삼성전자는 GAA 기술을 이용해 3nm급 고성능 컴퓨팅용 시스템 반도체를 초도 양산한다고 30일 밝혔다. GAA는 삼성전자가 대만 TSMC를 따라잡기 위해 반도체 업계서 처음 양산을 시도하는 기술이다. T
이재용 삼성전자 부회장은 14일(현지 시간) 네덜란드 에인트호번 ASML 본사를 방문해 피터 베닝크(Peter Wennink) CEO, 마틴 반 덴 브링크(Martin van den Brink) CTO 등 경영진을 만나 양사간 협력 강화 방안을 논의했다고 밝혔다. 이 부회장과 ASML 경영진은 ▲미래 반도체 기술 트렌드 ▲반도체 시장 전망 ▲차세대 반도체 생산을 위한 미세공정 구현에 필수적인 EUV 노광 장비의 원활한 수급 방안 ▲양사 중장기 사업 방향 등에 대해 폭넓게 협의했다. 이 부회장이 네덜란드 ASML 본사를 찾은 것은 지
EUV 리소그래피의 다음 세대를 주도할 램리서치의 기술 리더십 증명 캘리포니아주 프리몬트에, 2022년 6월 15일 /PRNewswire/ -- 램리서치(Nasdaq: LRCX)는 오늘 SK하이닉스가 첨단 DRAM 칩 생산의 두 가지 핵심 공정 단계를 위한 개발 도구로 램리서치의 혁신적인 건식(드라이) 레지스트 제조 기술을 채택했다고 발표했다. 램리서치가 2020년 선보인 EUV 리소그래피를 위한 건식(드라이) 레지스트 신기술은 차세대 반도체 생산에 사용되는 핵심 기술인 극자외선(EUV) 리소그래피의 해상도, 생산성, 수율을 개선...
네덜란드 장비 기업 ASML이 중국서 인력을 증원하고 사업을 확대한다. 6일 중국 언론 차이롄서에 따르면 ASML은 중국 사업 성장을 위해 올해 지속적으로 중국 현지 인력을 확대하고, 200여 명의 직원을 채용할 계획이라고 밝혔다. ASML은 극자외선(EUV) 장비 등을 공급하는 세계 최대 반도체 장비 회사로서, 글로벌 반도체 생산 기업에 핵심 장비를 공급하는 기업인 만큼 이번 중국 사업 확대에 관심이 모이고 있다. ASML이 올해 1월 공개한 데이터에 따르면 이 회사의 글로벌 직원은 3만 명이 넘는다. 지난 2년 간 6000명 이
◇ 국내 연구진, 이온빔 이용 차세대 반도체 소재 고성능화 고안과학기술정보통신부에 따르면 김윤석 성균관대 교수 연구팀은 이온빔을 이용해 하프늄 옥사이드의 강유전성을 200% 이상 증가시키는 방법을 고안해 학술지 '사이언스'(Science)에 발표했다.강유전성이란 외부 작용에 의해 일단 분극(양극과 음극이 나뉘는 것)이 되면 그 외부 작용이 사라진 후에도 그런 분극이 유지되는 물질의 성질을 가리킨다.강유전성이 큰 물질을 사용하면 메모리에서 데이터를 저장하는 기본구조인 0과 1의 차이가 더욱 명확해져 정보보존 특성이 우수해질 수 있다.
괴물 같은 전성비(전력대 성능비)를 보여준 애플 ‘M1 울트라’는 ‘M1 맥스’를 두 개 이어붙인 제품이다. 반도체 성능은 결국 얼마나 많은 트랜지스터를 내장했는지에 비례하는데, 애플은 고성능 칩 2개를 기워 정확히 두 배 성능의 반도체를 만들었다.주목할 건 애플이 처음부터 M1 울트라 크기의 실리콘 칩을 만들지 않았다는 점이다. 애플은 왜 두 개의 칩을 각각 따로 만들어 연결하는 수고를 택했을까.
중국 창신메모리(CXMT)가 올 상반기 내 17nm 공정 DDR5 시제품을 내놓는다. 중국 언론 신즈쉰이 인용한 대만 언론에 따르면 허페이(合肥) 창신메모리가 올해 2분기 17nm 공정 DDR5 칩을 시생산하고 동시에 생산능력 확장을 모색한다. 최근 창신메모리의 허페이 법인인 허페이창신의 17nm 공정 DDR 칩 수율이 이미 40%에 도달했으며, 올해 2분기 시생산해 시제품을 고객에 인도할 것이란 예상이다. 비록 40%의 수율이 비교적 낮은 편이지만, 창신메모리는 뒤이어 수율을 지속적으로 높인다는 계획이다. 창신메모리의 모회사인 루