삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업부가 내년 상반기 GAA(게이트올어라운드) 기반의 3nm(나노미터) 공정 양산에 들어간다. 선단공정에서 경쟁하고 있는 대만 TSMC가 3nm까지는 기존 핀펫 기술을 활용하기로 결정한 것과 달리, 삼성전자는 선제적으로 GAA를 도입하는 것이다.삼성전자는 기존 28nm 공정 효율성을 크게 높일 수 있는 17nm 신공정도 개발해 제공하기로 했다.최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 6일(미국 현지시간) 온라인으로 개최된 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 행사 기조연설에서 이 같이 밝혔다. GAA
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인텔이 옹스트롬(0.1나노미터) 단위까지 미세화 차원을 확장한 반도체 로드맵을 발표했다. GAA(게이트올어라운드) 기술인 ‘리본펫(Ribbon-FET)’과 금속배선을 실리콘 후면에 배치하는 파워비아 기술도 공개했다.이를 통해 오는 2025년 반도체 생산공정 리더십을 탈환, ‘공정의 인텔’ 명성을 되찾겠다는 목표다.팻 겔싱어 인텔 CEO(최고경영자)는 26일(현지시간) 열린 ‘인텔 액셀러레이티드’를 통해 인텔의 공정 로드맵을 공개했다. 겔싱어 CEO는 “인텔은 2025년까지 공정 성능 리더십으로 가는 확실한 길을 모색하기 위해 혁신
파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 재추진 중인 인텔이 글로벌파운드리 인수를 추진한다는 보도가 나왔다. 글로벌파운드리는 대만 TSMC와 삼성전자에 이은 세계 3위 파운드리 회사다. 원래 인텔 라이벌인 AMD의 제조부문이었으나, 지난 2008년 경영난 타계를 위해 분사했다. 현재는 아랍에미리트(UAE) 국부펀드인 무바달라인베스트가 최대주주다. 미국 월스트리트저널(WSJ)은 인텔이 글로벌파운드리를 인수하는 방안을 추진 중이라고 15일(현지시간) 보도했다. WSJ은 이번 딜이 최종 성사될 지는 아직 미지수이나, 인수가는 약 300억달러(약
TSMC의 2nm 공정 파운드리 공장 건설이 환경평가의 벽을 넘지 못해 난항을 겪고 있다. 대만 환경보호부문은 지난 25일 환경평가 전문가팀 제3차 심사회의를 열고, 용수 및 용전과 폐기물 처리 등 문제로 인해 주커(竹科) 신주커(新竹科)산업단지의 2기 확장이 이뤄지는 바오산(宝山) 용지에 대한 건설 환경 평가를 승인하지 않았다. 8월 31일 까지 신청 계획을 보완하면 재심사를 하겠단 계획이다. 이곳 용지는 TSMC가 2nm 공정 공장을 건설할 곳으로서, 앞서 이미 두 차례나 개발 계획이 중단된 바 있다. 이로써 TSMC의 2nm
TSMC가 4nm 공정 시생산을 예정보다 앞당겨 실시한다. 2일 대만 경제일보 보도에 따르면 TSMC는 이날 열린 '2021년 기술 포럼'에서 "4nm 공정이 올해 3분기 시생산에 돌입할 것"이라고 밝혔다. 예정됐던 시기 보다 한 분기 가량 앞당긴 것이다. 3nm 공정은 내년 하반기 양산을 계획하고 있다. TSMC는 올해 2년 째 온라인 기술 포럼을 열고 최근 기술 상황을 공유했다. 차세대 5G 스마트폰 및 와이파이6/6e 기능의 N6RF 공정 지원 및 차량용 N5A 공정, 그리고 3D패브릭(3DFabric) 시리즈
인텔은 '상호 연결 병목 현상' 해결 방안에 관한 주요 연구 결과를 발표했다고 13일 밝혔다. 상호 연결 병목 현상은 극저온 희석냉장고에 위치한 양자 칩과 큐비트를 제어하는 복잡한 실온 전자기기 사이에 존재하는 현상을 의미한다. 인텔은 큐텍, 델프트 공과대학교, 네덜란드 국영 응용 과학연구소와 함께 연구 결과를 발표했다. 인텔 측은 해당 연구 결과가 연구 과학 저널 '네이처(Nature)'지에 게재됐다고 밝혔다. 양자 컴퓨팅의 주요 병목 현상은 희석 냉장고에서 극저온으로 저장된 양자 칩과 큐비트를 제어하
반도체 파운드리 업계는 보통 7나노, 5나노 등 ‘x나노 공정’ 이라는 표현으로 자사 서비스와 기술력을 표현한다.여기서 x나노는 트랜지스터의 게이트(Gate) 선폭 길이를 의미한다. 트랜지스터는 반도체의 기본 구조로, 게이트에 전압이 가해지면 채널(Channel)을 통해 소스(Source)와 드레인(Drain)으로 전류가 흐르면서 동작한다.반도체가 고집적화 되면서 트랜지스터 크기도 점점 줄어들고 있고, 게이트의 노드(선폭) 역시 좁아지고 있다. 게이트 노드가 트랜지스터의 집적도를 잘 나타낼 수 있는 요소이기 때문에 공정을 지칭할 때
중국 상하이시가 2021년도 중점 프로젝트 계획을 공표하면서 SMIC의 12인치 공장 추진 내역이 공개됐다. 8일 중국 언론 테크웹에 따르면 상하이시는 SMIC의 12인치 'SN1' 프로젝트가 중점 프로젝트라며, 건설이 진행되고 있는 상태라고 밝혔다. 이 SN1 프로젝트는 SMIC 산하 중신난팡(中芯南方)이 추진하고 있으며, 총 90억5900만 달러(약 10조 482억 원)가 투입된다. 이중 생산설비 구매 및 구축비는 73억3000만 달러(약 8조1319억 원)다. 월 3만5000장의 웨이퍼 생산을 목표로 설계된다.
중국이 EDA(반도체설계자동화) 자체 개발에 나섰다. 미국 EDA 기업 베테랑들을 영입해 EDA 자립에 나선 것이다. 지금까지 EDA시장은 케이던스디자인(Cadence Design Systems Inc)⋅멘토그래픽스(Mentor Graphics)⋅시놉시스(Synopsys Inc) 3사가 독점적 지배력을 가지고 있었다.지난해 미국이 EDA 까지 규제에 나서면서 중국의 반도체 손발은 묶이게 됐다.
IMEC은 4일 온라인으로 진행된 '세미콘 코리아 2021'에서 반도체 미세화의 새로운 로드맵을 제시했다. 룩 반 데 호프 아이멕(IMEC) 최고경영자(CEO)는 '뉴노멀 시대, 인간을 위한 기술'이라는 주제로 기조연설을 했다. 그는 "코로나19로 개인과 기업에서 사용하는 웹 트래픽이 40% 급증했다"며 "기하급수적으로 증가하는 데이터를 다루기 위한 최신 기술이 발달하지 않으면 전력 소비가 급격히 늘어날 수밖에 없다"고 지적했다. 룩 반 데 호프는 빅 데이터 처리와 에너지 효율을 위해 반도체 미세화 연구
한 고수가 돌아오고 또 다른 고수가 사직을 선언한 SMIC에 내분설이 번지고 있다. SMIC가 15일 임시주주회의를 열어 장상이(蒋尚义)씨를 이사회 부회장, 제2종 집행이사 겸 전략위원회 회원으로 임명한다고 밝혔다. 이같은 인사 이동은 12월 15일 발효된다. 하지만 같은 날 량멍쑹(梁孟松) CEO가 사직원을 제출했단 소식이 함께 전해지면서 내분설이 일었다. 돌아온 장상이 부회장장상이 부회장은 1968년 국립 대만대학에서 전자공학 학위를 받은 뒤, 1970년 프린스턴대학에서 전자공학 석사 학위를 받고 1974년 스탠포드 대학에서 박
4일 인텔 랩스 데이 온라인 행사에서 인텔은 AI의 연산능력을 높일 핵심 기술인 극저온 양자 제어 칩 '호스 리지 II'를 공개했다. 해당 제품은 인텔이 지난해 공개한 호스리지 컨트롤러의 차기작으로, 전자제어를 단순화시킨 것이 특징이다. 짐 클라크(Jim Clarke) 인텔 컴포넌트 리서치 그룹 양자 하드웨어 부문 디렉터는 "호스 리지 II는 극저온 냉장고 내부에서 작동하는 시스템온칩(SoC)에 외부전자 제어장치를 통합했다"며 "대규모 양자 컴퓨팅으로 확장할 수 있는 기반을 열어줄 것으로 전망된다"고 말했다. 극저온
삼성전자 파운드리 사업부가 3나노미터(nm) 공정 초기 연구개발(R&D)용 웨이퍼 투입을 시작했다. 팹리스 고객사들이 사용할 공정설계키트(PDK)를 개발하고, 초기 장비 세팅을 조율하기 위해서다. 삼성전자는 5nm 공정에서 양산 시기 및 물량⋅성능까지 대만 TSMC에 크게 뒤쳐졌다. 완전히 새로운 기술이 도입되는 3nm 경쟁에서는 파운드리 사업 전환점을 마련한다는 목표다.6월부터 월 1000장 규모 삼성전자가 3nm 공정 R&D용 웨이퍼 투입을 시작한 건 지난 6월부터다. 매달 1000장 미만의 웨이퍼가 투입되고 있다. 5nm조차
삼성디스플레이가 중소형 유기발광다이오드(OLED)를 생산하는 A4 공장 옆에 추가 라인을 셋업하는 방안을 검토하고 있다. 현재 7세대(1870㎜ X 2200㎜) LCD를 생산하는 L7-2 가동이 종료되면, 내부 공간을 비우고 중소형 OLED 생산설비들을 들여놓는 것이다.삼성디스플레이는 L7-2 옆의 L7-1도 지난 2016년 생산을 멈춘 뒤 스마트폰용 OLED 라인(A4)으로 전환 투자했다.삼성디스플레이, L7-2에 중소형 OLED 전환투자 삼성디스플레이가 L7-2에 투자를 검토하고 있는 생산능력은 6세대(1500㎜ X 1850㎜)
[편집자주] 첨단 제조업계 종사자들은 어떤 콘텐츠에 주목할까요? 첨단산업 전문매체 KIPOST 뉴스레터 회원들이 한주간 눈여겨 보셨던 기사를 순서대로 정리했습니다. KIPOST는 국내 4대 제조 대기업(삼성, LG, SK, 현대) 계열사 재직자를 비롯해 IT, 자동차 등 대한민국을 이끄는 산업계, 금융계, 정부 유관 기관과 학계 등 다양한 분야에서 보고 계십니다. 1. 7분기만에 흑자 LG디스플레이, 2021년은 안갯속2. 5G⋅카메라⋅라이다에 방점 찍은 아이폰12...UWB 생태계 확대3. GaN이 LDMOS를 완전히 대체할 수
SMIC가 2세대 14nm 공정인 'N+1' 공정 생산 준비를 거의 마쳤다. 11일 중국 언론 주하이터취바오에 따르면 중국 칩 기업 이노실리콘(INNOSILICON)은 이미 SMIC와 첫 핀펫(FinFET) N+1 공정 칩 테이프아웃과 테스트를 완료했다고 밝혔다. 이노실리콘은 IP 및 맞춤형 반도체 전문 기업이다. SMIC의 N+1 공정은, 14nm 양산 이후 2세대 공정이다. SMIC의 량멍쑹 CEO에 따르면 N+1 공정은 기존 14nm 공정 대비 성능은 20% 높아졌으며 전력 소모는 57% 줄이고 로직 면적은 63
SMIC가 2세대 14nm 공정인 14nm 'N+1' 공정의 고객 도입 단계에 진입했다. 중국 언론 콰이커지에 따르면 SMIC는 1세대 핀펫(FinFET) 14nm 공정이 지난해 4분기 양산에 돌입한 데 이어 2세대 핀펫 N+1 공정이 이미 고객 도입 단계이며 올해 말 소량 시생산을 시작할 것이라고 밝혔다. 일정상 이 N+1 공정은 내년 양산에 돌입하게 된다. N+1 공정은 SMIC의 2세대 공정 번호로, 아직 구체적인 노드 수치는 알려지지 않았다. 다만 14nm 대비 성능이 20% 높아지고, 전력 소모는 57% 낮아
TSMC가 내후년 하반기 3나노 공정의 대량양산(HVM)을 시작한다. 그때까지 5나노 공정 생산용량은 현재의 3배로 늘리기로 했다. 자동차·사물인터넷(IoT)·무선통신(RF) 등 분야별 특수 공정을 추가했고, 차세대 후공정 선택폭도 넓혔다. 3나노, 이어 2나노 아래까지TSMC는 내년 3나노 공정의 위험생산을 시작하고, 이듬해인 2022년 하반기 대량양산으로 전환할 계획이다. TSMC의 3나노 공정은 5나노 공정(N5 V1.0) 대비 밀도는 1.7배, 성능은 15% 높고 전력소모량은 30% 적다. 회사는 그 전까지 5나노 공정의 생
어플라이드머티어리얼즈(AMAT)는 첨단 메모리와 로직 반도체 생산에 적용할 수 있는 컨덕터 식각 시스템 '센트리스 Sym3(Centris Sym3) Y'를 출시했다고 19일 밝혔다.이 제품은 센트리스 Sym3(Centris Sym3) 식각 시스템 제품군 중 하나다. Sym3 식각 솔루션은 지난 2015년 첫 출시 이후 현재까지 5000개 챔버가 출하되며 어플라이드 역사상 가장 빠르게 성장하는 제품으로 자리매김했다. 각각의 Sym3 Y 시스템은 여러 개 식각 및 플라스마 클린 웨이퍼 공정 챔버로 구성된다.'센트리