중국 화웨이가 중국 국책 연구소와 개발한 신형 D램 아키텍처를 공개했다. 

중국 언론 지웨이왕에 따르면 화웨이가 반도체 영역 포럼 'VLSI 심포지엄(VLSI Symposium 2022) 2022'에서 중국과학원 마이크로전자연구소와 함께 개발한 3D D램 기술을 발표했다. 

매체에 따르면 화웨이와 중국과학원이 개발한 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 재료 기반의 CAA(Channel-All-Around) 아키텍처 트랜지스터는 높은 온도 안정성과 신뢰성을 보유했다. 

화웨이의 메모리 영역 연구개발 성과는 지난해에도 한 차례 공개된 바 있다. 

앞서 보도된 바에 따르면 지난해 열린 IEDM 2021에서 중국과학원 마이크로전자연구소 리렁(李泠) 연구원팀이 화웨이 및 하이실리콘팀과 공동으로 최초의 신형 CAA 구조를 제시했다. 

이 아키텍처는 부품 면적을 줄이면서 멀티 레이어 스택을 지원하고 상하 두 개의 CAA 부품을 직접적으로 연결시킴으로써, 각 메모리 셀의 인치 크기를 4F2까지 줄일 수 있다. 이를 통해 IGZO-D램이 밀도 우위를 갖게 한다. 또 기존 1T1C D램 마이크로 축소에 따른 어려움을 극복할 수 있게 한다.