우시(无锡) 화훙반도체가 '우시화훙집성회로1기' 프로젝트를 통해 건설한 1기 공장을 증설키로 하고 52억 위안(약 8950억7000만 원)을 투자한다고 밝혔다. 올해 투자되는 금액이다. 

한 개의 90~65/55nm 공정 라인을 건설하고 월 6만5000장의 12인치 공정 생산라인을 짓게 된다. 

이번 프로젝트는 이미 올해 중국 우시시의 '2021 시(市)중점산업프로젝트' 목록에 올라가 있다. 

공개된 자료에 따르면, 우시 화훙반도체의 '우시화훙집성회로' 프로젝트 총 투자액은 100억 달러(약 11조1680억 원)로, 1기 프로젝트 투자액이 25억 달러(약 2조7920억 원)로 한 개의 90~65/55nm, 월 4만 장의 12인치 공정 생산라인을 건설했다. 

우시화훙집성회로 프로젝트는 2018년 3월 착공했으며, 2019년 6월 첫 광각 장비 반입을 거쳐 당해 9월 시생산을 진행했다. 이어 지난해 1월 시제품 인도 행사를 열었다. 

화훙반도체는 올해가 12인치 웨이퍼 공장 건설 시생산 두번째 해로서, 장비 반입과 기술 연구개발 진척도를 높이고 임베디드 플래시메모리, 로직 주파수 및 전력 부품 등 3대 플랫폼의 양산 출하를 늘릴 계획이다. 

올해는 'IC+디스크리트(Discrete)' 전략을 강화하고 8인치와 12인치 생산능력을 활용해 이미지 처리 칩, 전원관리칩, IGBT 등 영역에서 신제품 출시를 이어가면서 시장 점유율을 높일 계획이다.