중국의 한 대학에서 기존 메모리 반도체 보다 속도와 성능이 1000배 이상 앞서는 차세대 메모리 반도체 기술을 개발했다고 밝혔다.

중국 화중과기대학의 광전단과대 미야오샹쉐이(缪向水)부원장이 이끄는 연구진이 상변화메모리(P램, PRAM) 기반 ‘3D XPOINT’ 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. 이 기술을 적용해 개발한 반도체는 읽기와 쓰기 속도가 지금의 1000배 속도로 빨라지며 신뢰성 역시 1000배 높아진다고 설명했다.

이 연구실에서는 미야오 부원장을 비롯해 약 100명의 연구진이 차세대 메모리 반도체 연구개발에 몰두하고 있다.

▲중국 화중과기대학의 광전단과대 미야오샹쉐이 부원장이 이끄는 연구진이 상변화메모리 기반 ‘3D XPOINT’ 메모리 기술을 개발했다고 발표했다. /화중과기대학 제공

미야오 부원장은 “반도체는 정보화사회의 ‘쌀알’이며 메모리 반도체의 경우 시장 다양한 영역에서 널리 적용된다”며 “휴대전화, 카메라, PC 등 모든 전자제품에 들어간다”며 메모리 반도체 기술의 중요성을 강조했다. 이어 “중국은 매년 2600억 달러 어치 상품을 수입하는 데 이중 4분의 1이 메모리 반도체”라며 “95%의 메모리 반도체가 수입에 의존하고 있다”고 지적했다.

현재로선 이같은 국면을 타개하는 것이 쉽지 않다면서 “반도체는 고도로 복잡한 IT 상품이며 5mm 정방형의 작은 실리콘 위에 머리카락 수백분의 1 굵기의 회로가 놓이며 메모리 반도체 공정이 66단계를 거쳐야 하는 등 까다롭다”고 덧붙였다. 가공 설비도 고가이며 수율에 따른 원가 부담도 커 자칫하다 손실이 수 천만 위안(수 십억)을 넘어갈 수 있다고 설명했다.

이달 초 중국 창장메모리는 우한 생산기지에서 정식으로 장비를 반입했다. 이는 중국산 메모리 반도체 공장이 건설 단계에서 양산 준비 단계로 접어들었다는 것을 시사했다. 중국은 자체 지식재산권(IP)의 32단 낸드 플래시 반도체를 연내 양산하겠다고 밝힌 상태다.