중국 샤먼 훠쥐까오신구(火炬高新区)에 소재한 대만 UMC(United Microelectronics Corporation​)의 공장에서 2월 28nm  HKMG(High-K/Metal Gate) 공정으로 제조된 시생산 제품의 수율이 98%에 이르는 것으로 나타났다.

이는 이 회사가 28nm Poly/SiON 제조 공정 기술로 양산에 성공한 이래 또 한번 기술적으로 새로운 지평에 달성한 것이다.

UMC의 이 프로젝트에는 총 62억 달러(약 6조6433억 원)가 투자됐다. 중국과 대만이 협력해 건설한 첫번째 12인치 웨이퍼 공장이다. 중국 푸졘성에서 최근 들어 단일 프로젝트 기준 가장 큰 금액의 투자로도 이목을 끌었다.

▲중국 샤먼 훠쥐까오신구에 소재한 UMC의 공장에서 2월 28nm  HKMG 공정으로 제조된 시생산 제품의 수율이 98%에 이르는 것으로 나타났다. /UMC 제공

UMC는 2016년 11월 정식으로 시생산에 돌입했으며 최근 전 생산라인 가동을 위해 전력을 다하고 있다.

알려진 바에 따르면 UMC의 28nm HKMG 공정은 글로벌 첨단 '게이트 레스트(Gate Last)' 공정 기술을 채용했다. 이를 통해 그리드의 누설 전류량을 크게 낮추고 트랜지스터 성능은 높일 수 있다. 더 많은 다양한 전자제품에 이 제품을 적용할 수도 있게 된다.

이번 기술 성과에 UMC의 경영진은 향후 고객들과의 협력 관계가 더욱 긴밀해질 것이라는 기대감을 표하고 있다. 또 짧은 시간 내 성과를 이뤘다는 점에 대한 자부심도 크다.

UMC는 Poly/SiON과 HKMG 공정 기술을 공급해 중국에서 가장 선진적인 28nm 웨이퍼 공장으로 자리매김했다고 자신한다. 샤먼의 반도체 산업 수준도 끌어올리고 중국의 반도체 전략에도 중요한 의의를 가진다는 평가다.