로옴(ROHM) 주식회사는 초고속으로 GaN 디바이스를 구동하는 게이트 드라이버 IC 'BD2311NVX-LB'를 개발했다고 21일 밝혔다.

신제품은 나노초(ns)의 게이트 구동 속도를 실현해 GaN 디바이스를 고속으로 스위칭시킬 수 있다. 이러한 특성은 GaN 디바이스에 대한 충분한 이해를 바탕으로 게이트 드라이버 IC의 성능 향상을 추구함으로써 구현할 수 있었다. 최소 게이트 입력 펄스 폭 1.25ns의 고속 스위칭을 통해 어플리케이션의 소형화, 저전력화, 고성능화에 기여한다.

또 독자적인 구동 방식을 채용함으로써 이전에는 실현이 어려웠던 게이트 입력 파형의 오버슈트를 억제하는 기능도 탑재해 과전압 입력으로 인한 GaN 디바이스의 고장을 방지한다. 로옴의 EcoGaN™과 함께 구성하면 세트 설계가 용이해짐과 동시에 어플리케이션의 신뢰성 향상에도 기여한다. 이와 함께 어플리케이션의 다양한 요구에 대해서도 게이트 저항을 조정함으로써 최적의 GaN 디바이스를 선정할 수 있다.

신제품은 2023년 9월부터 양산을 개시했다.