래피더스, 핀펫 뛰어 넘고 GAA로 직행

각 FET 별 구조도. 핀펫과 GAA의 차이는 채널과 게이트의 접촉면 수다.
각 FET 별 구조도. 핀펫과 GAA의 차이는 채널과 게이트의 접촉면 수다.

일본 민관 합작 파운드리 프로젝트 기업 래피더스가 GAA(게이트올어라운드) 기술 확보를 위해 미국 IBM에 100여명의 연구진을 파견한다고 디지타임스가 14일 보도했다. 이미 지난 4월 일부 인력이 미국 뉴욕 알바니에 위치한 ‘나노테크컴플렉스’로 파견돼 연구를 진행하고 있다. 

GAA는 반도체 트랜지스터에서 전류를 통제하는 게이트가 채널을 4면에서 감싼 형태를 의미한다. 기존 3면에서 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 누설전류가 적고 미세공정 구현에 유리하다. 

삼성전자는 3nm(나노미터) 파운드리에 GAA를 도입했으며, TSMC는 2nm 공정부터 GAA 구조를 적용할 계획이다. 래피더스는 오는 2027년 2nm 공정 양산이 목표인 만큼, 핀펫을 뛰어 넘고 바로 GAA 구조로 직행한다는 목표다. 통상 7nm 이후 공정부터는 EUV(극자외선) 노광 기술이 필수인데, 래피더스 역시 2025년 시험 가동을 목표로 EUV 도입을 추진하고 있다. 

고이케 아츠요시 래피더스 대표는 “원래 첨단 파운드리 공정을 활용하려면 1000여명의 엔지니어가 필요했으나 최근에는 자동화 기술이 도입되며 500명 정도의 엔지니어만 확보하면 된다”고 설명했다. 

한편 IBM의 나노테크컴플렉스는 지난 4월 글로벌파운드리스가 IBM을 상대로 제기한 소송의 근거가 되는 시설이다. 글로벌파운드리스는 IBM이 지난 2015년 양측이 나노테크컴플렉스에서 공동 개발한 기술을 자사에 배타적으로 양도했으면서도 IBM이 이를 래피더스⋅인텔에 제공했다고 주장하고 있다. 이에 대해  IBM측은 “글로벌파운드리스의 주장은 근거가 없으며 법원에서 받아들여지지 않을 것”이라고 반박하고 있다.

저작권자 © KIPOST(키포스트) 무단전재 및 재배포 금지

키워드

Tags #래피더스 #핀펫 #GAA