자동차용 반도체 업체 일본 르네사스가 오는 2025년부터 SiC(실리콘카바이드, 탄화규소) 기반 전력반도체를 양산한다고 19일 밝혔다. 회사는 이를 위해 도쿄 북서쪽 군마현 다카사키 공장에 SiC 생산시설을 투자할 계획이다. 다카사키 공장에서는 기존 실리콘 기반 전력반도체가 생산되고 있었으나,  추가 투자를 통해 SiC 생산시설로 업그레이드할 계획이다. 아직 구체적인 투자 규모나 시기는 확정되지 않았다. 

SiC 반도체는 실리콘 기반 반도체 대비 고온⋅고압⋅고주파수 환경에서의 내구성이 강하다. 전력반도체를 SiC 기반으로 만들면 방열 설계에 대한 부담을 덜 수 있어 경박단소하게 시스템을 구성할 수 있다. 

이 때문에 전기차에 SiC 기반 반도체 적용 비중이 높아지고 있으며, 최근에는 전력손실을 낮춘다는 점에 착안해 ESS(에너지저장장치)에 적용하는 사례도 늘고 있다. 

자동차용 반도체 시장에서 선두를 달리고 있는 독일 인피니언, 스위스 ST마이크로 등에 비하면 르네사스의 SiC에 대한 투자는 다소 늦은 편이다. 르네사스는 투자비를 절감하기 위해 기존 로직칩 생산은 외주 파운드리를 이용하는 한편, SiC는 자체 생산라인을 통해 출하할 계획이다.