중국 메모리 반도체 기업인 기가디바이스(GigaDevice)가 허페이시에 메모리 연구개발(R&D) 및 생산 기지를 짓는다.

중국 기가디바이스는 이주 허페이시 산업투자 홀딩스와 ‘메모리 연구개발을 위한 협력’ 협약을 맺었다고 밝혔다. 양측은 안후이(安徽)성 허페이시 경제기술개발구에서 19nm 공정 기반 12인치 메모리 연구개발 및 생산 프로젝트를 추진키로 했다. D램 등도 포함되는 이번 프로젝트 예산 규모는 180억 위안(약 3조 385억8000만 원)에 이른다.

양측은 2018년 12월 31일까지 연구개발에 성공하겠다는 목표로 설비를 짓게된다.

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180억 위안은 양측의 협의에 따라 조정될 수 있으며 기가디바이스와 허페이시 산업투자 홀딩스가 1:4의 비율로 자금을 모집하게 된다.

이 프로젝트를 통해 연구개발 및 생산되는 D램은 다양한 기업을 위해 공급될 예정이며 D램 파운드리 수요 역시 대응할 계획이다.

허페이시 산업투자 홀딩스의 유일한 주주이자 실질적인 의사결정자는 허페이시 정부 국유자산감독관리위원회이며 등록 자본금은 108.54억 위안이다. 주로 정부가 관할하는 자산의 경영과 자산 관리, 양도 및 투자 등을 진행한다.

이번 협약에 따라 두 회사는 전략적으로 협력하면서 제품 개발에 나서 생산 능력을 확대하고 시장 영향력을 높일 계획이다.