NXP의 GD3160 절연 게이트 드라이버와 히타치 에너지의 로드팩 SiC 파워 모듈 결합

NXP 반도체는 전기차 시장에서 탄화규소(SiC) 파워 반도체 모듈 보급을 확산시키기 위해 히타치 에너지와 협력한다고 22일 발표했다. 이 프로젝트는 NXP의 고급 고성능 GD3160 절연 HV 게이트 드라이버와 히타치 에너지의 로드팩(RoadPak) 자동차 SiC MOSFET 파워 모듈로 구성된 파워트레인 인버터를 위한 보다 효율적이고 안정적이며 기능적으로 안전한 SiC MOSFET 기반 솔루션을 제공하는 것을 목표로 한다.

히타치 에너지의 고성능 자동차 파워 반도체 모듈 로드팩(RoadPak)은 우수한 방열, 저유도 인덕턴스(low stray inductances), 장기적인 내구성을 제공해 까다로운 자동차 환경에 견딜 수 있도록 지원하며, SiC MOSFET의 모든 기능과 장점을 활용할 수 있는 핵심 요소다. 최적의 성능을 위해 파워 모듈은 NXP의 GD3160 고전압 절연 게이트 드라이버와 페어링되어 빠르고 안정적인 스위칭과 오류 보호(fault protection)를 지원한다.

히타치 에너지는 산업 및 운송 부문에서 쌓은 기술과 경험을 기반으로 전기차 애플리케이션용 고밀도 로드팩 자동차 SiC 파워 모듈을 개발하고 있다. 로드팩 하프 브리지 파워 모듈은 1200V SiC MOSFET, 통합 냉각 핀 핀(pin-fins), 낮은 인덕턴스 연결을 모두 소형 폼팩터에 통합한다. 이는 전기버스와 전기차부터 고성능 포뮬러 E(Formula-E) 경주용 차에 이르기까지 다양한 곳에서 적용될 수 있다.

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