SK하이닉스는 극자외선(EUV) 노광공정을 처음 적용한 10나노급 4세대(1a) 8Gb LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달초 시작했다고 지난 12일 밝혔다. 10나노급 4세대 D램 양산은 메모리 반도체 세계 3위인 미국 마이크론에 이어 2번째다. D램 양산에 EUV를 활용한 것도 삼성전자에 이어 세계에서 2번째다. 

업계에서는 통상 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. SK하이닉스가 1a 기술을 적용한 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에게 공급될 예정이다.

회사는 이번 신제품의 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과를 기대하고 있다. 1a D램은 이전 3세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 1장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어난다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대하는 이유다. 또한 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다.

특히 이번에 양산에 성공한 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음 EUV 공정 기술을 적용했다는 점에서도 의미가 남다르다. EUV 공정을 도입한 지 1년도 되지 않아 D램 제품을 양산했기 때문이다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인했다.

업계에서는 앞으로 EUV 활용 수준이 기술 리더십의 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 내다본다. 기존 노광 장비인 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF)에 비해 EUV는 10배 이상 더 미세한 회로 패터닝을 구현한다. SK하이닉스는 이번에 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품을 EUV 노광 공정을 확대 적용할 계획이다.

앞서 지난 2월 SK하이닉스는 전 세계 유일한 EUV 노광 장비 업체인 네덜란드 ASML과 5년간 장비도입 계약을 맺었다. 총 계약 규모는 4조7549억원에 달한다. EUV 장비 대당 평균 가격이 2000억원 수준으로 알려져 SK하이닉스는 5년간 20대 이상의 EUV 장비를 도입할 것으로 예상된다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 태스크포스(TF)장 부사장은 “이번 1a D램은 생산성과 원가 경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품”이라며 “EUV를 양산에 본격 적용해 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 강조했다.

한편 SK하이닉스는 이번 LPDDR4 신제품에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 예정이다.