마이크로칩테크놀로지는 항공우주 및 우주 방위 애플리케이션용 인증을 획득한 방사선 내성 강화 MOSFET(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor)을 출시했다고 9일 밝혔다.

마이크로칩의 방사선 내성 강화 M6 MRH25N12U3 MOSFET은 POL(point-of-load) 컨버터, DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 및 제어, 범용 스위칭 등 전력 변환 회로에 대한 주요 스위칭 요소를 제공한다. 해당 MOSFET은 가혹한 우주 환경을 견디고, 전력 회로의 신뢰성을 확장하며, 향상된 성능으로 MIL-PRF19500/746의 모든 요건을 충족한다. 마이크로칩은 해당 디바이스를 미군 공급망에 조달하기 위해 국방물류청(Defense Logistics Agency, DLA) 심사 및 자격 테스트를 완료했으며, JANSR2N7593U3 인증 획득은 2021년 6월 내 완료될 예정이다.

M6 MRH25N12U3 MOSFET은 미래 위성 시스템 디자인을 위해 설계되었으며, 기존 시스템의 대체재 역할도 겸한다.

해당 디바이스는 최대 100 krad(킬로래드) 및 300krad의 총이온화선량(Total Ionizing Dose, TID)을 견디며 최대 87MeV/mg/cm2의 선형에너지전이(Linear Energy Transfer, LET)로 단일 이벤트 효과(Single Event Effect, SEU)를 견딜 수 있다. 검증 테스트를 통해 100%의 웨이퍼 로트 방사선 강도를 보장한다.

마이크로칩의 디스크리트 제품 그룹 부문 부사장인 레옹 그로스(Leon Gross)는 “마이크로칩의 방사선 내성 강화 MOSFET 시장 진출은 자사 고객층을 지원하고, 항공우주 및 방위 OEM과 통합업체에 고성능 솔루션과 지속적인 공급을 제공하겠다는 마이크로칩의 오랜 노력을 반영한다. M6 MRH25N12U3은 마이크로칩의 검증된 품질 및 신뢰성 외에도 개발자에게 가치있는 가격 옵션과 완전한 애플리케이션 지원을 제공한다”고 말했다.

M6 MRH25N12U3는 FPGA(Field Programmable Gate Array), 마이크로프로세서 집적회로(IC), 리니어 IC, 파워 디바이스, 디스크리트, SiC 및 Si 전력 솔루션을 모두 통합하는 파워 모듈을 포함한 마이크로칩의 광범위한 항공우주, 방위 및 우주 기술 포트폴리오의 일환이다. 마이크로칩은 마이크로컨트롤러(MCU) 및 아날로그 제품과 함께 고전력 시스템 제어, 게이트 드라이브 및 파워 스테이지에 대한 수요를 충족하고 토탈 시스템 솔루션을 통해 전 세계의 개발자를 지원한다.