극자외선(EUV), D램 생산 라인 속으로 들어간다
극자외선(EUV), D램 생산 라인 속으로 들어간다
  • 김주연 기자
  • 승인 2019.01.24 18:07
  • 댓글 0
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ASML, 올해 30대 출하 발표… 고객사는 로직·D램

극자외선(EUV) 노광 장비가 올해 D램 생산 라인에도 적용된다. 1z 나노 D램 양산의 발목을 잡고 있는 멀티 패터닝 기술 대신이다. 

 

ASML은 23일(현지 시각) 올해 총 30대의 EUV 노광 장비를 출하할 계획이라고 밝혔다. 고객사는 로직(Logic) 반도체 제조사와 D램 제조사다. 

피터 베닝크 ASML 최고경영자(CEO)는 "올해 출하하는 30대 중 D램 메모리 고객의 양산 라인을 위한 장비가 포함돼있다"며 "EUV 기술로 만들어진 칩들이 올해부터 본격적으로 나올 것"이라고 말했다.

반도체 제조 공정에서 노광(Lithography)은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 핵심 적인 단계다. 웨이퍼에 감광액(Photo Resist·PR)을 바르고 회로 패턴이 그려진 마스크를 위에 댄 채 빛을 쪼이면 PR이 반응, 패턴이 만들어진다.

즉 이때 빛은 일종의 붓이다. 붓이 세밀해야 얇은 선을 그릴 수 있는 것처럼, 빛의 파장이 짧아야 미세 패턴을 구현할 수 있다. EUV는 13.5나노의 파장을 가진 빛이다. 이전 불화아르곤(ArF) 기반 엑시머 레이저의 파장은 193나노였다.

EUV 노광 장비를 만드는 곳은 ASML이 유일하다. 회사는 지난 2017년 EUV 노광 기술의 단점으로 지적된 처리량(throughput)을 획기적으로 개선한 'NXE:3400B'를 내놨다. 이 제품은 시간당 125장의 웨이퍼를 처리한다. 이전 ArF 노광기의 시간당 웨이퍼 처리량(wph)은 275장이다.

EUV 노광 기술을 가장 먼저 들인 건 패턴이 복잡한 로직 반도체다. 삼성전자를 필두로 TSMC도 EUV를 활용한 7나노 양산 라인을 시가동하고 있다. 지난해 ASML이 출하한 EUV 노광 장비는 총 18대다.

메모리 업계는 당초 10나노 이하 D램 만들 때 EUV 노광 기술을 적용할 계획이었다. 대당 2000억원에 달하는 장비를 쓸 경우 단가 상승이 불가피하기 때문이다. 포토마스크, PR, 테스트 등 관련 소재·부품 생태계가 조성되지 않았다는 점도 부담이었다.

하지만 로직 반도체 업계에서 EUV 노광 기술을 적용하기 위해 본격적으로 투자를 진행하면서 생태계가 빠르게 갖춰지기 시작했다. 패터닝 단계가 2번에서 3번, 3번에서 4번으로 늘어나면서 소요 비용도 EUV를 쓸 때와 큰 차이가 나지 않을 정도로 좁혀졌다.

ASML은 올해 하반기 'NXE:3400B'보다 처리량을 35% 이상 개선한 'NXE:3400C'를 출하할 계획이다. 이 장비의 시간당 웨이퍼 처리량은 170장 이상이다. 차기 고 렌즈수차(High NA) 노광 장비 양산에 대한 고객사들과의 선 계약도 15억유로(약 1조9233억원) 규모에 달한다. 

한편 ASML은 지난해 총 매출액이 109억유로(약 13조9761억원)로 집계됐다고 밝혔다. 영업이익은 26억유로(약 3조3367억원)다. 


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