중국서 e빔 리소그래피 장비 개발 성공… 상용화 단계

중국 저장대(由浙大) 유항양자연구원(余杭量子研究院)은 EBL(전자빔 리소그래피) 장비 개발에 성공해 상용화 단계에 돌입했다고 14일 밝혔다.

중국 관영 매체 항저우일보(杭州日报)에 따르면 중국 E빔 리소그래피는 미국의 대중국 수출 규제 품목에 포함돼 그동안 중국 내 반도체 기업과 연구기관들이 이 장비를 들여오지 못해 난항을 겪어왔다. 이번 장비 개발로 돌파구를 마련할 수 있게 됐다. 

E빔 리소그래피는 UV(자외선)을 사용하는 포토 리소그래피 장비와 달리 포토 마스크를 쓰지 않는 것이 특징이다. 고에너지 e빔을 통해 실리콘 웨이퍼 표면에 회로를 그려넣는다. 

유항양자연구원 개발 책임자는 “이 장비는 일종의 ‘나노 붓’으로, 전통적인 리소그래피 장비에 비해 프로토타입 설계, 반복 및 소량 시험 생산 단계에서 효율을 대폭 높일 수 있다”며 “반도체 R&D(연구개발) 초기에 회로를 다양하게 수정해볼 수 있다는 게 큰 장점”이라고 설명했다. 

이 연구원이 개발한 장비는 100kV E빔 리소그래피로, 프로젝트명은 명필가 ‘왕희지’의 이름을 딴 ‘희지(羲之)’다. 정밀도는 0.6nm(나노미터), 선폭은 8nm고 설계 수정이 가능하다. 

연구원은 현재 중국 내 여러 반도체 기업과 연구기관과 함께 응용 테스트를 진행 중이라고 전했다.

EBL 장비는 네덜란드 ASML, 일본 제올(JEOL), 독일 레이스(RAITH) 등이 생산하고 있다.