해성디에스, 리드 간격(ILP) 110μm 수준 초미세 리드 피치 금형 개발 성공

반도체 부품 전문 제조기업 해성디에스(대표 조병학)가 리드 간격(ILP, Inner Lead Pitch) 110㎛ 수준의 ‘초미세 Stamped QFP (Quad Flat Package)’ 금형 개발에 성공했다고 14일 밝혔다.

이번 금형은 초미세 리드 피치 QFP(Fine Pitch QFP) 시장에서 기존 ILP 130㎛ 수준의 업계 표준을 뛰어넘는 기술로 평가받고 있으며, 해성디에스는 이를 통해 기술경쟁력 강화 및 시장 진입에 주력할 예정이다.

반도체의 고집적화와 고성능화로 인해 리드프레임의 정밀도 및 제품 품질 등이 높아지고, 이에 따른 리드프레임 제조공정 중 ILP의 가공 정도가 중요해지고 있다.

ILP 간격이 줄어들수록 패키지 내 포함할 수 있는 리드 수가 늘어나기 때문에 칩의 기능 확장과 고집적화가 가능해진다. 또 리드 간 간격이 좁아지면서 패키지 크기도 소형화 할 수 있어 휴대성 및 공간 효율성이 중시되는 분야에 다양하게 적용할 수 있다.

해성디에스는 이러한 반도체 시장의 흐름에 맞춰 기술 개발에 주력한 결과 초미세 리드 피치 QFP(Super Fine Pitch QFP) 금형 개발에 성공할 수 있었고, 해당 금형을 통해 미세 피치 QFP 시장에 본격 진입할 수 있는 발판을 마련하게 됐다고 설명했다.

특히 이번 기술 개발이 일본을 비롯한 글로벌 시장에서의 미세 피치 기술 수요 증가에 대응할 수 있는 돌파구가 될 것이라고 회사측은 설명했다.