TI, 일본 아이주 공장 가동 시작...GaN(질화갈륨) 전력 반도체 제조 역량 4배로 강화

텍사스 인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 공장에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다고 25일 밝혔다.

미국 텍사스주 댈러스에 위치한 기존 GaN 제조 시설에 이어 아이주 공장이 가동되면서, TI가 자체 제조하는 GaN 기반 전력 반도체의 생산량은 4배로 늘어나게 된다.

GaN은 실리콘을 대체하는 반도체 소재로 에너지 효율성, 스위칭 속도, 전력 솔루션 크기와 무게, 전체 시스템 비용, 고온 및 고전압 조건에서의 성능 측면에서 장점을 제공한다. TI의 GaN 반도체는 독자적인 GaN-온-실리콘(GaN-on-silicon) 공정, 8천만 시간 이상의 신뢰성 테스트, 통합 보호 기능을 바탕으로 고전압 시스템에서 안전하게 유지되도록 설계됐다.

TI는 최신 GaN 칩 제조 장비를 사용해 제품 성능과 제조 공정 효율성을 높이고 비용 면에서도 이점을 제공한다. 또 GaN 제조에 사용되는 보다 발전되고 효율적인 툴은 더 작은 칩에 더 많은 전력을 담을 수 있다. 이와 같은 설계 혁신은 생산 과정에서 물과 에너지, 원자재의 사용량을 줄여 GaN 칩을 사용하는 최종 제품도 이와 같은 환경적 이점에 기여할 수 있다.

이와 함께 TI는 더욱 강화된 GaN 제조 역량을 통해 900V를 시작으로 더 높은 전압으로 GaN 칩을 확장할 수 있어 로봇 공학, 재생 에너지 및 서버 전원 공급 장치와 같은 애플리케이션의 전력 효율 및 크기 혁신을 더욱 촉진할 수 있다.

나아가 TI는 올해 초 300mm 웨이퍼에서 GaN 제조 공정 개발을 위한 파일럿을 성공적으로 완료하는 등 투자를 확대하고 있다. TI는 확장된 GaN 제조 공정을 300mm 기술로 완전히 이전할 수 있어 고객의 요구에 따라 쉽게 확장하고 향후 300mm로 전환할 수 있는 입지를 확보했다.