실리콘랩스, Si828x 버전2로 절연형 게이트 드라이버 제품군 확장

실리콘랩스는 절연형 게이트 드라이버 제품군에 'Si828x 버전 2'를 추가한다고 18일 밝혔다. 이로써 더 높은 전력 밀도와 보다 발열이 적은 작동, 그리고 줄어든 스위칭 손실을 요구하는 하프-브리지 및 풀-브리지 인버터와 전원공급장치 시장에 대응할 수 있게 됐다고 회사측은 설명했다.

실리콘랩스의 브라이언 미르킨(Brian Mirkin) 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “자동차 충전기 및 트랙션 인버터 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답, 그리고 효율을 높이는 밀러클램프 조합을 통해 상당한 이점을 얻을 수 있다"고 말했다.

실리콘랩스의 게이트 드라이버는 SiC 솔루션 공급사인 울프스피드(Wolfspeed)와의 협력을 통해 울프스피드 SiC MOSFET과 함께 테스트를 마쳤다.

울프스피드의 SiC FET를 Si828x 제품군과 함께 사용하면 전력 및 변환 효율이 향상된다. 이는 배터리 셀 수를 줄이고, 전기 모터에 더 많은 전력을 공급하며, 운영 비용을 낮출 수 있다는 것을 의미한다고 실리콘랩스는 밝혔다.