중국의 ‘3대’ 메모리 반도체 프로젝트 중 하나로 꼽히는 허페이 D램 ‘506 프로젝트’가 정식 시생산 개시를 선언했다. 이 프로젝트의 일부 첨단 공정은 한국인이 주도해 개발하고 있다는 보도도 나왔다. 

허페이에서 D램 양산을 목표로 추진되고 있는 506 프로젝트는 중국 푸졘진화(JHICC), 창장메모리(YMTC)의 프로젝트와 함께 중국 3대 메모리 반도체 프로젝트로 꼽힌다. 

허페이 D램 506 프로젝트 측은 “이달 16일 정식으로 시생산에 돌입했다”며 3대 메모리 반도체 프로젝트 중 가장 빨리 시생산에 돌입했다고 발표했다. 이에 중국 현지 언론도 ‘중국 메모리 반도체 역사상 의미있는 날’이라며 의미를 부여했다. 

이 프로젝트는 2016년 5월 허페이창신(合肥长鑫集成电路有限责任公司), 창진메모리(长鑫存储技术有限公司), 루이리지청(睿力集成电路有限公司) 세 회사가 주체로서 운영하고 있다. 반도체 기업 기가디바이스(GigaDevice)가 프로젝트 회사로서 프로젝트를 관리하고 허페이창신이 투자를 총괄하면서 루이리지청이 연구개발과 사업 운영 등을, 창진메모리가 자본과 재무, 자산 플랫폼 등을 맡고 있다. 

중국 언론에 따르면 이 프로젝트의 17nm 개발은 한국인이 주도하고 있다.

중국 반도체 언론 신스샹 (芯思想)은 “이 프로젝트를 통해 19nm 연구개발과 동시에 17nm 연구개발도 진행하고 있으며 두 팀으로 나뉜다”며 “19nm 연구개발은 대만에서 온 연구진이, 17nm 연구개발은 한국에서 온 연구진이 책임지고 있는 것으로 알려졌다”고 보도했다. 

▲기가디바이스 플래시 메모리 이미지. /기가디바이스 제공 

허페이창신은 2016년 6월 13일 세워진 회사로서 허페이시산업투자홀딩스의 자회사다. 허페이산업투자홀딩스는 허페이시인민정부 국유 자산 관리감독 위원회가 100% 지분을 갖고 있는 회사다. 

창진메모리는 2017년 11월 세워진 회사로 허페이루이지에쥐청투자유한회사와 허페이창신이 합작해 세운 회사다. 허페이루이지에쥐청투자유한회사 측이 80.1%의 지분을 보유했으며 허페이창진의 지분은 19.9%다. 

루이리지청의 전신은 2016년 6월 세워진 허페이즈쥐지청뎬루유한회사다. 

506 프로젝트는 지난 1월 1기 공장에 첫번째 장비 반입을 시작했으며 올해 연말까지 19nm 8GB LPDDR4 시제품을 만들어내는 것이 목표다. 이어 내년 3분기까지 8GB LPDDR4를 양산하면서 월 2만 개를 생산하겠다는 청사진을 그렸다. 이어 2020년 제 2공장을 짓고 2021년 17nm 연구개발을 완료하겠다는 로드맵이다. 

일환으로 지난해 10월 기가디바이스와 허페이산업투자홀딩스가 19nm D램 협력 협약을 체결했으며 약 180억 위안을 투자해 올 연말까지 연구개발을 완료하겠다는 목표를 세웠다. 

허페이시도 정책적으로 지원을 아끼지 않고 있다.