리플로우 공정 없이 스루홀 패키지 적용

NXP반도체는 저렴한 후공정(packaging) 기술이 적용된 고주파(HF) 및 초고주파(VHF) 시스템용 무선주파(RF) 전력 반도체 ‘MRF101AN’과 ‘MRF300AN’을 출시했다고 5일 밝혔다.


두 제품에는 ‘유비쿼터스(Ubiquitous)’ 방식의 패키지 기술이 적용됐다. 


▲고주파(HF) 및 초고주파(VHF) 시스템용 무선주파(RF) 전력 반도체 ‘MRF300AN’에는 새로운 패키지 기술이 적용됐다./NXP반도체


기존 고전압 RF 전력 반도체 플라스틱 패키지는 열에 녹는 솔더 페이스트(solder paste)로 반도체를 패드에 임시 부착한 뒤 기판에 옮겨놓고 고온에 노출시키는 ‘리플로우(reflow)’ 공정을 거쳤다. 


하지만 이 제품은 PCB의 구멍에 삽입, 반대쪽 패드를 납땜하는 방식으로 실장하는 스루홀(through-hole) 기술을 활용한다. 트랜지스터를 섀시에 수직으로 장착하거나 PCB 아래에 부착해 방열(Heatsinking) 부품 등을 포함, 설계 유연성을 확보할 수 있다. 


300W급 트랜지스터 ‘MRF300AN’은 40.68㎒에서 이득(gain) 값은 28데시벨(dB)로, 79%의 효율로 연속파(CW) 330W를 출력한다. 전압 정재파 비(voltage standing wave ratio, VSWR)는 65대1까지 견딜 수 있어 산업용 기기에 적합하다.


PCB 설계를 변경할 필요 없이 코일이나 개별 부품만 일부 바꿔 1.8㎒~250㎒ 대역의 주파수를 지원하도록 조절할 수 있다. 


‘MRF101AN’는 100W급 트랜지스터로, 핀 배열을 미러링한 버전인 ‘MRF101BN’도 있다. 


피에르 피엘(Pierre Piel) NXP반도체 멀티 마켓 RF 파워 총괄 수석 디렉터(Senior Director)는 “사용 편의성, 고성능 및 다기능성이 기기에 RF 파워가 사용되는 일이 점차 늘어나고 있다”며 “NXP반도체는 설계 요구 사항을 최소화하고 출시 기간을 단축, 고객을 편리하게 하는 작업에 매진하고 있다”고 말했다.

저작권자 © KIPOST(키포스트) 무단전재 및 재배포 금지

키워드

Tags #NXP반도체 #고주파