인텔(마이크론 연합)에 이어 SK하이닉스가 상변화메모리(PC램 또는 P램) 경쟁에 불을 지핀다. 인텔이 올해 양산을 시작한만큼 SK하이닉스도 빠른 시간 내에 양산 제품을 내놓는다는 계획이다.

12일 박성욱 SK하이닉스 부회장은 일산 킨텍스에서 열린 '나노코리아 2017'에 참석, "차세대 메모리 중 가장 양산이 유력한 후보는 PC램"이라고 말했다. 정확한 생산 시점은 밝히지 않았다.

박성욱 SK하이닉스 부회장이 '나노코리아2017' 기조연설에서 강연하고 있다.

SK하이닉스는 약 10여년 전부터 D램과 낸드플래시의 한계를 넘을 메모리로 PC램, 스핀자화주입반전메모리(STT-M램), 저항변화메모리(Re램)를 개발해왔다. 2012년부터는 IBM과 공동으로 연구개발(R&D) 하고 있다.

PC램을 최우선 양산 과제로 꼽은 이유는 선점 경쟁에서 밀리지 않기 위한 차원으로 보인다. 인텔은 지난 4월부터 3D 크로스포인트(X-point) 메모리 '옵테인(Optane)'을 생산하기 시작했다. D램을 완전히 대체할 수는 없지만 속도가 빠르고 비휘발성이라는 점에서 D램과 낸드플래시의 보조 메모리로 활용되고 있다. 삼성전자는 'Z-SSD'라는 이름의 하이브리드 메모리를 출시하고, 샘플 공급을 시작했다.

PC램 개발을 위해 해결해야 할 과제도 언급했다. 열을 가하거나 온도를 낮추면 결정화(Crystalline)와 비결정화(Amorphous)되는 상(象)의 변화를 이용한다. 이 소재는 저마늄, 스트론튬, 탄탈륨(GST) 합금이 쓰이는데, 아직까지는 업계가 요구하는 수준을 맞추지 못하고 있다는 것이다.

차세대 메모리 후보군.

이와 더불어 D램을 대체하는 초고속 메모리 STT-M램 개발에 대한 의지도 나타냈다. 박 부회장은 "임베디드(Embeded) 형태로 쓰이고 있기는 하지만 워낙 특성이 좋은 제품이라 개발을 지속할 것"이라고 말했다.

현재 양산 제품의 성능과 용량 향상을 위한 소재 개발도 주문했다. 시스템온칩(SoC) 위에 메모리를 얹은 시스템인패키지(SiP)에는 SoC의 방열을 위한 소재가 필요하다. D램 캐패시터 성능 향상을 위한 새로운 '하이-K' 메탈도 연구 중이다. 3D 낸드플래시의 홀 내 표면을 균일하게 식각(에칭)할 수 있는 소재 개발도 여전히 숙제다. 면적과 깊이의 비율을 나타내는 종횡비(aspect ratio)가 점점 높아지면서 선택비(재료의 물성차를 이용해 매끄러운 식각면을 구현하는 정도) 높은 물질을 찾는 것도 도전 과제다.