TI, 고속 GaN FET 드라이버 2종 출시
TI, 고속 GaN FET 드라이버 2종 출시
  • 김주연 기자
  • 승인 2018.03.12 14:20
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텍사스인스트루먼트(TI, 지사장 루크 리)는 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 제품군으로 고속 필드이펙트트랜지스터(FET) 드라이버 ‘LMG1020’와 ‘LMG1210’을 신규 출시한다고 12일 밝혔다.


▲TI가 갈륨나이트라이드(GaN) 기반 고속 FET 드라이버 2종을 선보였다./TI


갈륨나이트라이드는 전자가 가질 수 없는 에너지 대역이 넓은 ‘와이드밴드갭(WGB)’ 소재로, 고전압과 고열에 강하고 동작 속도가 빠르다. 솔루션 크기도 실리콘 기반 전계효과트랜지스터(MOSFET)의 5분의1 수준이다. 라이다(LIDAR)나 5세대(G) 무선통신(RF) 포락선(envelope) 등 고속으로 신호를 주고받아야하는 기기에 적합하다.


LMG1020은 최대 60㎒의 속도로 작동하고 펄스 폭(pulse width)이 최고 1㎱에 불과해 산업용 고정밀 라이다 기기에 활용될 수 있다. 펄스 폭은 파형이 하강해서 다시 상승하기까지 걸린 시간으로, 짧을수록 거리계측 정확도가 높다. 웨이퍼레벨칩스케일(WCSP) 패키지로, 스위칭 손실이 적다. 

스위칭 속도가 50㎒인 LMG1210은 데드 타임(Dead time)을 조절할 수 있어 고속 DC·DC 컨버터, 모터 드라이브 등 전력 변환 기기의 효율을 최대 5% 높인다. 최대 200V의 GaN FET과 함께 활용할 수 있는 하프브리지 드라이버다. 공통모드 과도응답 내성(CMTI) 기능으로 시스템의 잡음(Noise)에 강하다. 지연시간은 10㎱다.


동작 온도는 두 제품 모두 영하 40℃에서 영상 125℃ 사이다.