중국 잉누오사이커(英诺赛科)가 자체적으로 연구개발(R&D)한 대륙 첫 8인치 질화갈륨온실리콘(GaN-on-Si) 웨이퍼 생산라인이 주하이(珠海)에서 정식으로 시생산에 돌입했다.

질화갈륨은 3세대 반도체로 불리며 전 세계적으로 가장 잠재력있는 반도체 재료로 꼽힌다. 멀지 않은 미래에 세계를 바꿀 것으로 기대되는 재료 이기도 하다. 질화갈륨온실리콘 산업은 일찌기 20년 전부터 유럽과 미국 등지에서 시작돼 발전했지만 최근 상품과 기술 차원에서 눈에 띄는 발전을 거두고 있다.

중국에서 이 산업은 초기 단계이며 중국에서 아직 새싹 산업으로 분류된다.

▲중국 잉누오사이커(英诺赛科)가 자체적으로 연구개발한 대륙 첫 8인치 질화갈륨온실리콘 웨이퍼 생산라인이 주하이(珠海)에서 정식으로 시생산에 돌입했다. /주하이 까오신구 제공

잉누오사이커는 세계 선두의 8인치 질화갈륨온실리콘 기술을 보유한 것으로 평가 받는다. 낮은 휨(Low Warpage) 설계와 낮은 결함을 실현하면서 전위밀도(dislocation density)가 향상되고 누설량이 적은 웨이퍼 제조에 있어 글로벌 선두에 있다고 현지 언론은 소개했다. 미립화율이 대폭으로 낮아져 1% 이하 수준이다.

2년 간의 노력을 통해 이 회사는 이미 중국 치초의 8인치 질화갈륨온실리콘 생산라인 시생산이 돌입할 수 있었다. 주로 100V~650V의 질화갈륨 효율 부품 등 주요 상품은 설계와 성능상 높은 수준에 이른 것으로 알려졌다. 여러 전기 기반 전자부품과 에너지, 전기차, 정보와 통신과 스마트 산업 등 다양한 영역에 적용에 적용된다.

회사 측은 “자체적인 기술로 제어가능하고 안전한 생산 시스템을 만드는 것은 반도체와 정보 산업에서 져야 할 책무”라며 “회사는 자체적인 연구개발 시스템을 토대로 인재 관리 등을 통해 부단히 노력해 선두 위치에 서 있다”고 설명했다.