광저우 소재...10일 착공

중국에서 '제3세대 반도체'로 주목받고 있는 실리콘카바이드 재료를 대량으로 생산할 수 있는 생산시설이 지어진다.  

15일 중국 언론 지웨이왕에 따르면 중국 광저우 난사징위안(南砂晶圆)반도체기술유한회사(이하 난사징위안)가 광저우시 난사(南沙)구에서 실리콘카바이드(SiC) 단결정 재료 및 웨이퍼 생산라인 건설을 위한 착공식을 열었다. 공장은 지난 10일 착공했다. 

토지 점용 면적이 2만4581㎡이며, 총 건축 면적은 5만1162만700㎡이다. 

 

난사징위안반도체 공장 환경 영향 평가 공시. /광저우시 난사구 제공

 

광저우 난사구는 올해 1월 25일 '광저우 난사징위안 실리콘카바이드 재료 및 웨이퍼 생산라인 환경 영향 평가 공시'를 발표하고 공장의 규모 등을 공개한 바 있다. 9억 위안이 투자되는 이 프로젝트를 통해 메인 공장과 보조 공장, 그리고 생산 보조 설비 등이 들어서게 된다. 

광저우 난사구에 따르면, 2018년 9월 설립된 난사징위안은 선전 제3세대반도체연구원 전(前) 부원장이었던 왕야오하오(王垚浩) 박사가 이끌고 있다. 산둥대학의 쉬셴강(徐现刚) 교수도 참여해 제3세대 반도체 재료로서 실리콘 카바이드 단결정 재료 연구개발과 테스트, 양산 등을 진행하고 있다. 

왕 박사는 앞서 국가인사부와 전국박사후관리위원회에서 전국우수박사로 평가됐으며 과기부 반도체조명 중대 특별 프로젝트와 863 특별 전문가 일원이기도 하다. 

기업정보 플랫폼 아이치차에 따르면 난사징위안은 전자부품 제조, 전자 전용 재료 제조, 기술 개발과 컨설팅 등을 업으로 한다고 소개됐다.

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