메모리가 수직화 되면서 회로 구현을 위한 식각(에칭) 성능이 갈수록 중요성을 더해가고 있다. 특히 메모리 내부 데이터 통로 역할을 하는 홀(구멍)을 형성하는 데 있어 고종횡비(high aspect ratio, 바닥면적 대비 수직 길이가 높은 비율)를 구현하려면 식각 솔루션이 무엇보다 중요하다.  

램리서치(LRCX)는 자사 메모리 식각(에칭) 플랫폼 'Sense.i'용 유전체 식각(dielectric etch) 챔버 'Vantex'를 선보인다고 29일 밝혔다. 자사 모니터링 센서 솔루션 'Equipment Intelligence'를 탑재해 높은 수율을 달성하는 데 도움을 준다고 회사측은 설명했다.  3D 낸드플래시와 적층형 D램 등에 적합한 제품이다. 

램리서치 식각 챔버 'Vantex'
램리서치의 유전체 식각 챔버 'Vantex' 내부. /사진=램리서치

스마트폰, 그래픽 카드, SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 등 소형화와 고집적화를 동시에 충족하는 메모리가 필요해지면서 메모리 업체들은 소자의 높이는 늘리고 가로 임계치수(critical dimension, CD)는 줄여 노드의 비트당 원가를 줄이고 있다.

램리서치는 3D낸드와 D램의 식각 종횡비가 새로운 차원에 도달하고 있다고 설명했다. 이를 위해 Vantex의 챔버 설계를 새롭게 바꿔 높은 수준의 무선 주파수(RF) 전력을 사용할 수 있게 됐다. 고종횡비 피처(feature)의 생산량 증가와 비용 조정이 가능해졌다. 파워 향상에 RF 펄스 기술 발전까지 더해져 소자 성능 개선에 필요한 CD 정밀 제어가 실현됐다.

 

3D 낸드 소자는 새로운 세대로 나아갈 때마다 더 깊게 식각해야 하기 때문에 식각 프로파일의 균일성이 중요하다. Vantex 기술은 식각의 수직 각도를 제어해 이러한 3D 소자 피처에 필요한 엄격해진 배치 조건을 충족하며 300mm 웨이퍼 전반에 걸쳐 높은 수율을 달성하게 한다.

바히드 바헤디(Vahid Vahedi) 램리서치 에치 제품 그룹 담당(senior vice president and general manager of the Etch product group)은 “램리서치는 고종횡비 식각 분야에서 십여 년 이상 업계 선두를 지켜오면서 쌓은 독자적인 노하우를 바탕으로 준비단계부터 향후 여러 노드의 확장성과 혁신을 염두에 두고 Vantex 챔버를 설계했다”며 “Vantex는 성능 및 생산성의 기준을 재정의했고, 고객들은 이 혁신적인 식각 기술을 활용하게 될 것”이라고 말했다.

램리서치 Sense.i 식각 플랫폼에는 'Equipment Intelligence'가 탑재됐다. 수백 개의 모니터링 센서 시스템과 프로세스 성능 관련 데이터를 수집하는 기능을 갖추고 있다. Vantex 챔버는 Sense.i 시스템의 고대역 통신을 활용해 기존 장비보다 웨이퍼당 데이터를 더 많이 수집하고 효율적으로 활용할 수 있어 온웨이퍼(on-wafer) 성능과 웨이퍼 간 (wafer-to-wafer) 성능을 모두 개선할 수 있다.

Vantex는 램리서치의 주요 메모리 고객들이 적격성을 평가할 수 있도록 Sense.i 플랫폼에 탑재돼 납품되며 올해 재주문을 통해 대량 생산할 예정이다.

램리서치 Vantex 챔버 연구실. /사진=램리서치

 

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