이노실리콘과 협력

SMIC가 2세대 14nm 공정인 'N+1' 공정 생산 준비를 거의 마쳤다. 

11일 중국 언론 주하이터취바오에 따르면 중국 칩 기업 이노실리콘(INNOSILICON)은 이미 SMIC와 첫 핀펫(FinFET) N+1 공정 칩 테이프아웃과 테스트를 완료했다고 밝혔다. 

이노실리콘은 IP 및 맞춤형 반도체 전문 기업이다.  

SMIC의 N+1 공정은, 14nm 양산 이후 2세대 공정이다. SMIC의 량멍쑹 CEO에 따르면 N+1 공정은 기존 14nm 공정 대비 성능은 20% 높아졌으며 전력 소모는 57% 줄이고 로직 면적은 63% 줄였으며, SoC 면적은 55% 줄였다. 로직 면적 축소 값상 7nm에 근접한 공정이라고 평가된다. 이에 일부 언론은 '8nm 급 공정'이라고 소개하기도 한다. 

 

이노실리콘 로고. /이노실리콘 제공

 

량 CEO는 "N+1 공정은 전기 소모와 안정성 측면에서 7nm 공정과 매우 유사하지만 성능이 살짝 낮은 것(업계 기준 35%↑)이라며, 이에 SMIC의 N+1 공정은 주로 전력 소모가 필요한 애플리케이션에 적용될 것"이라고 말한 바 있다. N+1 공정 이후 SMIC는 N+2 공정도 준비하고 있으며 두 공정의 전력 소모 차이는 크지 않지만 N+2 공정의 성능이 더 높다. 

SMIC는 앞서 9월 하순 N+1 공정에서 올 연말 소량 생산이 이뤄질 것이라고 밝힌 바 있다. 

이에 주하이터취바오는 이노실리콘이 SMIC의 N+1 공정 첫 고객이며, 연말 시생산에 돌입할 것이라고 내다봤다. 

중국 이노실리콘은 2006년 설립된 회사로서 반도체 원스탑 IP 및 맞춤형 양산 허브를 지향한다. SMIC와 협력해 공정 개발을 진행하고 있다. 

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